HY5S5A6DF：超低功耗256Mb移动SDRAM

关键词：存储器

时间：2003-06-06 15:41:00 来源：中电网

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5月29日讯，Hynix半导体公司推出一种称作Handy SDRAM存储器HY5S5A6DF，它是一种超低功耗的移动SDRAM，用在下一代移动手持通信，PDA，数码相机和其它各种消费类电子产品。

Handy SDRAM工作电压1.8V，54针FBGA封装，采用该公司的0.13微米生产工艺。由于能延长电池寿命，因此，Handy SDRAM在手机市场中需要量很大。到2006年，低功耗DRAM的市场超过$15亿。

Hynix有各种不同的第一流的低功耗技术如部分阵列自刷新(PASR)，温度补偿自刷新(TCSR)，深度降功耗(DPD)和由JEDEC确认的驱动器强度。采用"自动的TCSR"技术将会控制DRAM单元内的自我刷新和速度，Hynix公司的产品将会进一步降低功耗而同时提高速度。
详情请上网：www.hynix.com

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