TPC8A01：功率MOSFET/肖特基二极管

关键词：其它

时间：2003-06-16 13:06:00 来源：中电网

“

”

6月2日讯，东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)推出一种把功率MOSFET和肖特基阻塞二极管集成在单一裸芯片上，创新了一种称作MOSBD新器件。

东芝的第一个MOSBD，型号为TPC8A01，是双通路器件，组合了两个MOSFET和一个肖特基阻塞二极管。因此，把在DC/DC转换器中同步整流所用的三种器件集成在一个封装内，容易在PCB上安装，节省了更大的板空间。器件很适合用在笔记本电脑，PDA，LCD和硬盘驱动器(HDD)中马达驱动器的DC/DC转换器。

新的MOSBD，由于消除了MOSFET和二极管间的外部连线，大大地降低了连线的电阻和电感。新器件也由于采用东芝的UMOS III工艺，能进一步改善性能。TPC8A01 MOSBD的占位面积为30 mm2,厚度为1.6 mm,封装为工业标准的SOP-8。下表为它的技术性能。

现在可提供TPC8A01 MOSBD，样品数量的价格为$0.40。详情请上网：http://www.toshiba.com/taec

型号		额定值		RDS (on) (mΩ) @VGS = 4.5V		Qg (nC)@VDD = 24V, VGS = 10V	VDSF (V)@ VGS =0V	封装
TPC8A01	高边 (MOSFET)	VDSS (V)	ID (A)	Typ	Max	Typ.	Max.	SOP-8
	低边 (MOSBD)	30	6	23	30	17	-1.2
	低边 (MOSBD)	30	8.5	16	21	49	-0.6

现在可提供TPC8A01 MOSBD，样品数量的价格为$0.40。详情请上网：http://www.toshiba.com/taec

声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮箱： editors@eccn.com。

分享到：

[上一篇：] AT71XM4C:AVIIVATM M4扫描CCD照相机

[下一篇：] TPC8017-H/8018-H:N沟功率MOSFET