IS32WV16100/200:32Mb超低功耗PSRAM

关键词：存储器器

时间：2003-07-03 14:14:00 来源：中电网

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6月18日讯，ISSI公司(Integrated Silicon Solution, Inc)推出新型超低功耗假静态RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200，其工作电压从2.3V到3.6V，结构为1Mx16和 2Mx16，很适合用在下一代手机以及无线手持设备和手提应用。

16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns，非常低的待机电流(50uA)和工作电流(10mA)。其它特性还包括能提供测试好的裸芯片和工业温度等级的芯片。PSRAM系列和Fujitsu, Toshiba和NEC的产品兼容。

16Mb和32Mb PSRAM采用基于有简单SRAM I/O接口的单元DRAM核的技术来制造，得到更高的密度，每位更低的功耗和更小的尺寸。10K量的IS32WV16100 和IS32WV16200单价分别为$3.95和 $6.95。两种产品为48引脚BGA封装。现在可提供样品和批量生产。下图为产品外形图。详情请上网：www.issiusa.com

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