“动态频率分频器的分频比例为2，输入频率110GHz，电流62mA
”| 9月3日讯，Infineon公司把基于硅锗的高频集成电路破记录地提升到110GHz的高度。所测量的电路表明，其性能和其它供应商的同类产品相比，提高10-30%的工作频率，使其能应用在高频产品和高速通信系统。从这种技术受益的将是高速分立元件(晶体管和二极管)，40Gbps低功耗有线通信系统，高速微波无线链路，高达60GHz的超宽带通信系统和77GHz汽车雷达系统。 Infineon公司根据它的SiGe:C双极工艺，设计了几种用于高速通信的主要功能块，它的截止频率大于200GHz，所演示的振荡器门延迟时间为3.7ps。高性能电路的测试也表明，很平稳的晶体管参数能用在模拟和数字应用，有很低的噪音。采用这种技术，研究人员演示了几种破记录的IC：110GHz+动态频率分频器，86GHz静态频率分频器和95GHz压控振荡器(VCO)以及77GHz汽车雷达收发器。其结果表明，SiGe双极工艺很适合各种高速模拟和数字方面的应用，如Gbps数据通信和宽带无线应用或微波产品。动态频率分频器的分频比例为2，最大输入频率为110GHz。该电路的工作电压为5V，消耗电流62mA。而静态分频器(分频比例为32)的最大输入频率为86GHz，工作电压为5V，消耗电流仅为180mA。 建造高频收发器的关键元件是压控振荡器(VCO)。Infineon公司开发和制造了工作在95-98GHz的VCO，在1MHz载波偏移频率下相位噪音仅为-97dBc/Hz。输出功率为-6dBm，5V工作时的电流为很低的12mA。 SiGe工艺是一种证明成熟的有70GHz 的fT工艺，所生产的产品包括有RF晶体管，低噪音放大器和用于移动无线基站的单片微波集成电路。详情请上网：www.infineon.com |
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