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TC58DVM82F1XB00:更宽的256Mb闪存

关键词:存储器

时间:2003-07-14 11:37:00      来源:中电网

7月7日讯,东芝公司(Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC))推出一种更宽的256Mb NAND闪存TC58DVM82F1XB00,它是16位接口而不是通常的8位接口,降低了数据传输的时间。每读周期的要传输的数据增加了两倍,降低了查找每页数据所需的时间大约50%。用标准的8位接口传输528B的一页所需的时断时间为26.4ms,而用16位宽的接口,则减小为13.2ms。

东芝最初推出的x16 NAND闪存是手机中用得最多的256Mb器件。该单芯片256Mb x16 NAND闪存型号为TC58DVM82F1XB00,目标应用在手机,PDA和其它移动设备中。为了支持其它的功能和应用,当今的先进手机需要更复杂的存储器子系统,设计者越来越多转向NAND闪存,存储更多的应用软件和数据。

东芝的256Mb x16 NAND闪存是3.3V单芯片器件,结构为264字X32页X2048区,有264字的寄存器,允许程序和读数据能在寄存器和存储器单元阵列之间传输,增量为+256字。擦除是以8K字+256字X32页的单一区块来实现。它利用I/O引脚作为地址和数据的输入/输出以及指令的输入。

东芝的x16闪存是BGA封装或和其它存储器产品封在一起的多片式封装(MCP),以支持各种不同的应用。东芝提供NOR,SRAM,NAND和假SRAM组合的MCP,为移动电子设备提供灵活的存储器解决方案。MCP封装有更小的占位面积,重量更轻,特别能满足手机的需求。
下表是产品的主要性能:
型号
TC58DVM82F1XB00 (BGA)
结构
264 字x 64K x 16 位
容量
256Mb
电源
VCC = 2.7V 到3.6V
页大小
264 字
区块大小
(8K + 256) 字
编程时间(每页)
200us典型值
擦除时间(每区块)
2ms 典型值
存取时间
25us 第一次存取(最大); 50ns 连续存取(最大)
封装
9 x 11 BGA 尺寸9 x 12 x 1.2 mm或MCP

现在可提供256Mb TC58DVM82F1XB00 x16 NAND闪存样品,单价为$12.00。详情请上网:www.toshiba.com/taec
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