TC58DVM82F1XB00：更宽的256Mb闪存

关键词：存储器

时间：2003-07-14 11:37:00 来源：中电网

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7月7日讯，东芝公司（Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC)）推出一种更宽的256Mb NAND闪存TC58DVM82F1XB00，它是16位接口而不是通常的8位接口，降低了数据传输的时间。每读周期的要传输的数据增加了两倍，降低了查找每页数据所需的时间大约50%。用标准的8位接口传输528B的一页所需的时断时间为26.4ms，而用16位宽的接口，则减小为13.2ms。

东芝最初推出的x16 NAND闪存是手机中用得最多的256Mb器件。该单芯片256Mb x16 NAND闪存型号为TC58DVM82F1XB00，目标应用在手机，PDA和其它移动设备中。为了支持其它的功能和应用，当今的先进手机需要更复杂的存储器子系统，设计者越来越多转向NAND闪存，存储更多的应用软件和数据。

东芝的256Mb x16 NAND闪存是3.3V单芯片器件，结构为264字X32页X2048区，有264字的寄存器，允许程序和读数据能在寄存器和存储器单元阵列之间传输，增量为+256字。擦除是以8K字+256字X32页的单一区块来实现。它利用I/O引脚作为地址和数据的输入/输出以及指令的输入。

东芝的x16闪存是BGA封装或和其它存储器产品封在一起的多片式封装（MCP），以支持各种不同的应用。东芝提供NOR，SRAM，NAND和假SRAM组合的MCP，为移动电子设备提供灵活的存储器解决方案。MCP封装有更小的占位面积，重量更轻，特别能满足手机的需求。

下表是产品的主要性能：

型号	TC58DVM82F1XB00 (BGA)
结构	264 字x 64K x 16 位
容量	256Mb
电源	VCC = 2.7V 到3.6V
页大小	264 字
区块大小	(8K + 256) 字
编程时间(每页)	200us典型值
擦除时间(每区块)	2ms 典型值
存取时间	25us 第一次存取(最大); 50ns 连续存取(最大)
封装	9 x 11 BGA 尺寸9 x 12 x 1.2 mm或MCP

现在可提供256Mb TC58DVM82F1XB00 x16 NAND闪存样品，单价为$12.00。详情请上网：www.toshiba.com/taec

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