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TPC8017-H/8018-H:N沟功率MOSFET

关键词：MOSFET

时间：2003-07-29 14:19:00 来源：中电网

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6月9日讯，东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)推出能改善功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A)，它采用超高速度U-MOS III和铝丝键合，以改善导通电阻和栅极电荷。采用超声键合方法来代替焊接，器件的RDS(on)降低了34%，QSW降低了14%。

MOSFET TPC8017-H和TPC8018-H器件的指标包括有VDss为30V，Vgs=10V时的导通电阻分别为6.6和4.6 mW，在Vds=24V和Vgs=10V时的QSW分别为7.8 和12 nC。器件是标准的SOP-8封装。现在可提供样品数量，单价为$0.40。下表为产品的主要性能。

	工艺	额定指标		RDS(on) (MAX.)(m )@VGS=10V	QSW(nC) Typ.@VDS=24V, Vgs=10V
	工艺	VDSS(V)	ID(A)	RDS(on) (MAX.)(m )@VGS=10V	QSW(nC) Typ.@VDS=24V, Vgs=10V
TPC8017-H	超高速 U-MOS III	30	15	6.6	7.8
TPC8018-H	超高速 U-MOS III	30	18	4.6	12.0
TPC8015-H	U-MOS III	30	13	8	9.1
TPC8016-H	U-MOS III	30	15	5.7	15.6

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