“板面积降低60%,耗散功率1.8W，稳态电流4.2A, 是同类产品12倍
”| 7月24日讯，Fairchild半导体公司推出一种新型P-MOSFET，具有性能和节省空间的组合性能，能用在手机，PDA，手提音乐设备，GPS接收器，低压/小功率DC/DC转换器和数码相机中的功率管理。FDJ129P是采用Fairchild的高性能PowerTrench技术的SC75FLMP封装（倒装引线塑注封装），和同样性能的SSOT-6或TSOP-6封装相比，板面积降低了60%。FDJ129P的耗散功率为1.8W，最大稳态电流4.2A,是同类竞争SC75封装产品的12倍。 此外，FDJ129P由于其低损耗开关降低了系统功率损失，最大的脉冲电流为16A。FLMP封装还提供了PCB和MOSFET芯片间的低热阻通路。同时，该封装不需要通常的导线键合，因而有极低的电阻。低电组和低热阻的组合大大地增加了功率管理应用中的性能。 FDJ129P封装的最大高度为0.8mm，使它能用在RF屏蔽和子装配以及显示器内部，使产品变得更薄和更小尺寸。除了封装上的特点，新器件的导通电阻极低，VGS = -4.5V时为70毫欧姆，VGS = -2.5V时为120毫欧姆，栅极电荷也很低，VGS ± 12V时Qq小于6nC。1K量的单价为$0.33。下图为产品外形图。详情请上网：www.fairchildsemi.com |
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