K4H1G0538/0438:1Gb DDR SDRAM

关键词：存储器

时间：2003-09-17 16:15:00 来源：中电网

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9月3日讯,Samsung电子公司推出芯片堆栈的芯片规模封装(CSP)的1Gb双数据速率(DDR) SDRAM K4H1G0538和K4H1G0438,在单一封装内有两个512Mb DDR SDRAM芯片.新的封装解决方案加倍了存储器容量,同时解决了小占位面积时需要更高容量存储器的移动应用和高性能服务器的设计约束.

新的1Gb DDR SDRAM CSP和Samsung的512Mb DDR SDRAM的封装一样,而存储器容量却提高了一倍.Samsung的DDR CSP产品有DDR 266和DDR 333型号,尺寸为11.5x12mm.它满足JEDEC要求的DDR CSP针间距标准(0.8mm/1.0mm),因此,有广泛的应用.由于在单一封装内堆栈了两个芯片,CSP解决方案将会提升紧凑空间的高端应用的性能和效率.采用这种概念进一步发展,2Gb DDR CSP将会用1Gb DDR SDRAM芯片来实现.

下图为产品外形图.详情请上网:www.samsung.com

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