HM66AQBxx:333MHz 36MbQDRII SRAM

关键词：存储器

时间：2003-09-24 11:44:00 来源：中电网

“1.33Gbps带宽,满足OC-192数据速率,并能升级到OC-76, 驱动40Gbps数据速率

”

9月3日讯,Renesas科技美国公司(Renesas Technology America, Inc)推出新系列高速18Mb和36Mb四倍数据速率(QDR II) SRAM器件HM66AQB36514BP 和HM66AQB36104BP等,用于高性能网络和通信系统设备如顶级路由器和交换器.

这种QDRII SRAM采用领先的0.13umCMOS工艺,有业界最快的速度:两种容量的2字突发器件为250MHz,4字器件为333MHz.当采用缓冲存储器时,这些快速SRAM有很高的带宽,1.33Gbps.这种性能允许设计能处理很高通信量的通信和网络设备,满足有更大带宽的需求.

在当今的网络环境中,通信设备的传输速度很快超过10Gbps,Renesas公司的新型QDRII SRAM能使用户的产品满足当今需要的OC-192数据速率,并能升级到OC-768链接能驱动的40Gbps数据速率.

Renesas 公司的QDRII SRAMHM66AQB系列提供常规同步SRAM所不能提供的理想特性.QDRII存储器有两个独立工作在双数据速率(DDR)的数据口,这样你能在每个周期输出四个数据字.即使在全速操作时,有效的数据窗口足够宽,达65%时钟周期,能最小化时序问题.它的时钟回音信号,由于保证了和有效数据时序的精密和稳定关系,简化了数据捕捉.系统设计者能利用这些特别的优点,来最大化专注于网络和通信的设计的带宽.

QDRII系列产品和QDRII标准兼容,有x8,x9,x18 和x36的结构,2和4字的突发功能以及各种速率.所有的器件工作在1.8V电源(VDD),采用HSTL I/O,有QDRII所必需的封装:165引脚,15x17mmFBGA封装.

HM66AQB中的36Mb QDRII SDRAM将在九月底提供样品.批量生产会在2003年十二月份.18Mb的QDRII SRAM将在2004年第2季度提供样品,批量生产在第三季度.

下表为产品的型号和性能:

器件类型	突发长度	结构	型号	样品价格/供给期
36Mbit QDR-II SRAM (133, 167, 200, 250 MHz)	2字突发	x8 x9 x18 x36	HM66AQB8402BP HM66AQB9402BP HM66AQB18202BP HM66AQB36102BP	$175 到$200 2003年九月
36Mbit QDR-II SRAM (167, 200, 250, 300, 333 MHz)	4字突发	x8 x9 x18 x36	HM66AQB8404BP HM66AQB9404BP HM66AQB18204BP HM66AQB36104BP	$184 到196 2003年九月
18Mbit QDR-II SRAM (133, 167, 200, 250 MHz)	2字突发	x8 x18 x36	HM66AQB8202BP HM66AQB18102BP HM66AQB36512BP	2004年第二季度
18Mbit QDR-II SRAM (167, 200, 250, 300, 333 MHz)	4字突发	x8 x18 x36	HM66AQB8204BP HM66AQB18104BP HM66AQB36514BP	2004 年第二季度

下图为产品外形图.详情请上网: http://america.renesas.com/

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