HY5PS124:512Mb DDR2 SDRAM

关键词：存储器

时间：2003-09-30 10:38:00 来源：中电网

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9月16日讯,Hynix半导体公司在2003年秋季的IDF上宣布,它已把512Mb DDR2 SDRAM提交给Intel公司进行评估,它的样品能成功地提升Intel下一代双处理器服务器芯片组称作"Lindenhurst"的代码.Hynix 512Mb DDR2 SDRAM现在可提供样品数量,批量生产将在2004年初.

HY5PS124的配置有128Mbx4,64Mbx8和32Mbx16,工作电压1.8V/2.5V可选择,VDDQ=1.8V+/-0.1V,所有的输入和输出都和SSTL_18接口,完全差分时钟输入,双数据速率接口,每引脚的数据传输速率高达667Mbps,JEDEC标准的60和80引脚FBGA封装,每64ms 8K周期擦新,支持片外驱动器阻抗调整.

该512Mb DDR2 SDRAM器件采用先进的0.11um生产工艺制造.可作为DDR2 DIMM,可用作服务器,工作站和个人计算机的高性能DDR2平台.下图为产品外形图.详情请上网:www.hynix.com

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