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时间：2003-10-28 14:11:00 来源：中电网
“组合了三种主要存储器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的速度和闪存的非挥发性.
”| 10月27日讯,Motorola公司推出业界首个4Mb的磁阻型随机存取存储器(MRAM)芯片,现在可向有选择的客户提供样品. 4Mb MRAM芯片是采用o.18um技术制造.MRAM是一种革命性存储器技术,它具有难以置信的持久性和速度,能替代今天的半导体存储器技术.MRAM在单一芯片组合了三种主要存储器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的速度和闪存的非挥发性.MRAM采用磁性元件而不是电荷来决定存储器位单元的开/关状态,使它在许多的应用领域,电子系统和消费类电子,MRAM能替代多种存储器器件.设计者可从降低系统多种存储器的复杂性,减低整个系统成本和改善性能中受益.MRAM的长寿命和可靠性使它很适合用在苛刻的环境,或需要长系统寿命的地方如汽车电子和工业系统.此外还可用在军事和航空航天系统. 4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS铜互连技术,MRAM单元是单晶体管和磁隧道结的结构,它的读和写时间小于50ns.由于MRAM具有非挥发性,数据保持持久性,速度和密度的性能组合,所以它能成为通用的存储器用在许多方面而消除了需要各种存储器的组合. 下图为MRAM的外形.详情请上网:www.motorola.com |
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