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EDE1104AA:1Gb DDR2 SDRAM存储器

关键词:存储器

时间:2003-12-15 13:20:00      来源:中电网

1Gb器件的数据传输速率达533Mbps.它的工作电压1.8V,是双数据速率结构.

12月11日讯,Elpida存储器公司推出最新的1Gb DDR2 SDRAM存储器EDE1104AA,能给用户提供2GB注册DIMM模块,使用户能很快和方便地评估用在下一代服务器平台的新器件.基于这种新1Gb器件的4GB注册双列直插存储器模快(DIMM)和2GB SO-DIMM正在开发,不久就可提供样品.

EDE1104有两种结构:33,554,432x4位x8组和16,777,216x8位x8组,是68引脚FBGA封装,采用Elpida的最新300mm生产设备和0.10um工艺制造.1Gb器件的数据传输速率达533Mbps.它的工作电压1.8V,是双数据速率结构,CAS等待(CL)为3,4和5,突发长度4或8,双向差分数据选通(DQS和/DQS),DQS在READ数据时是边缘对准,在WRITE数据是中心对准.它具有差分时钟输入,自动刷新和自刷新模式,平均刷新间隔7.8us和1.8V I/O.该器件还有片外驱动器(OCD)阻抗调整和芯片内终止(ORT)功能,以改善信号的质量.

Elpida的1Gb DDR2器件允许DDR和DDR2两种器件集成在同一芯片上,通过在制造时选择金属连线在DDR和DDR2间的切换,方便地满足用户对传统的DDR SDRAM存储器的需求.下图为产品外形图.详情请上网:www.elpida.com
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