PVT212:高性能微电子固态继电器

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时间：2004-01-18 16:23:00 来源：中电网

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1月14日讯,IR公司推出高性能微电子继电器(MER)PVT212,它的导通电阻比同类产品低75%,而负载电流则高37.5%.PVT212的主要应用包括工业控制的负载开关,通信线路开关以及计算机外设和仪表的电源控制和分配.

PVT212光电继电器是单刀常开固态继电器,能替代许多电磁和簧片继电器,以改善可靠性.它采用IR公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,它由集成的光电发生器驱动.输出开关则由GaAlAs发光二极管(LED)控制,它是和光电发生器光学绝缘的.

PVT212在AC-DC模式的负载电流高达550mA,而DC模式在150V时高达825mA.同时,它有极低的导通电阻,AC-DC模式最大为0.75欧姆,在DC模式最大仅为0.25欧姆.

此外,PVT212的输入-输出绝缘为4000Vrms,人体模型的静电放电容差为4000V.VT212是6引脚DIP封装.现在可提供样品和批量.50K量的单价为$2.26.下图为产品外形图.详情请上网:www.irf.com

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