IRF6612:高性能30VDirectFET同步MOSFET

关键词：电源 MOSFET

时间：2004-04-12 16:15:00 来源：中电网

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3月25日讯,IR公司推出DirectFET表面封装的30V同步MOSFET IRF6612,具有低导通电阻(VGS=4.5V时为4.4毫欧姆)和低封装电感的最佳组合,能把用在笔记本电脑和服务器的非绝缘DC/DC转换器中的同步整流器的效率最大化.IRF6612也能用在网络和通信的绝缘DC/DC转换器中的次级同步整流器.

目前采用Intel Centrino移动技术的笔记本电脑要使用处理器的电源解决方案,这是一种控制的两相设计,每相用两个同步SO-8封装的MOSFET.这三个SO-8器件能用每相一对DirectFET器件来代替,IRF6612用作同步MOSFET,IRF6608用作控制MOSFET. DirectFET解决方案降低成本了元件数目,和现有采用标准分立器件的电路设计相比,MOSFET所用的PCB面积降低了33%.

下表为它的主要性能:

型号	封装	BVDSS	最大RDS(on)@10V	RDS(on) @4.5V	VGS	ID@T外壳25度C	QG (典型)	QGD (典型)
IRF6612	DirectFET	30V	3.3毫欧姆	4.4毫欧姆	20V	136A	30nC	10nC

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