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”| 6月1日讯,Philips公司宣布在横向扩散MOS(LDMOS)技术上取得重大突破,打破宽带CDMA(W-CDMA)基站的效率壁垒,第一次允许W-CDMA基站制造商把RF功率放大器输出级的效率提高到30%.提供先进多媒体和数据服务的W-CDMA蜂窝基础设备的首次展示就引发了高效率基站放大器的大量需求.由于RF功率放大器输出效率大于30%,Philips的新的第5代LDMOS技术,和目前的LDMOS技术相比,把W-CDMA的效率提高4%之多.把这种技术用在W-CDMA基站上,RF功率放大器因此能降低功耗15%,从而降低运营成本,降低消耗功率和冷却. Philips的新一代LDMOS技术的RF功率晶体管特性尺寸为0.4um和四层金属化,从而组合成高工作效率,高增益和极好的线性.该技术能覆盖800MHz到2.2GHz的频率范围.除了在W-CDMA系统中所具有的优点, Philips的新一代LDMOS器件的增益为17dB,使它很适合用在更高性能RF功率放大器,用在1GHz和2GHz GSM/EDGE以及CDMA基站. 新一代LDMOS晶体管采用铝铜(AlCu)金属,而不像以前的器件所用的金金属.和同类产品中所用的两层Al金属相比,这些极厚和宽的AlCu金属在可靠性上增加了四倍,同时大大降低了晶体管的寄生效应.增加的可靠性使得Philips的第五代LDMOS器件能工作在比同类产品高出25度C的结温上,而降低的寄生效应则改善了RF性能.工作在较高的结温和能降低结到外壳的热阻到小于0.5度C/W,使基站放大器能用体积更小更低成本的热沉.较高的增益(大于17dB)也降低了功耗以及在输出级的电路复杂性. 新一代LDMOS晶体管目标应用在UMTS和2GHz PCS/DCS频段.例如,BLF5G22-100是W-CDMA晶体管,有17dB增益,-39dBc ACLR5,平均输出功率26W时的工作效率30%,峰值输出功率超过160W(所有指标是两载波W-CDMA工作,10MHz间隔,CCDF0.01%几率时的PAR 8.5dB). 第五带LDMOS RF晶体管将在2004年第四季度提供样品,批量生产在2005年第二季度.详情请上网:www.semiconductors.philips.com |
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