“Samsung 电子公司推出业界最高容量的72Mb QDR II SRAM器件K7R643684M,用于高性能网络系统的下一代存储设备.
”| 10月27日讯,Samsung 电子公司推出业界最高容量的72Mb QDR II SRAM器件K7R643684M,用于高性能网络系统的下一代存储设备. Samsung新的72Mb QDR II SRAM器件是当今市场上容量最高的SRAM.器件能同时处理多达4个不同的数据流,容量为目前的36Mb QDR II的两倍. 72Mb QDR II SRAM器件工作在300MHz,比通常的QDR II器件要快20%,为网络应用提供了附加的性能.新器件每秒能处理等效于9400张标准新闻页的数据,是下一代高速交换机和路由器的最佳器件. 它的主要性能如下: 工作电压1.8V+/-0.1V, 用于宽输出数据有效窗口和未来频率升级的DLL, 1.5V I/O的I/O电源1.5V+/-0.1V,1.8V I/O的电源为1.8V+/-0.1V, 分开的单独读和写数据口,具有同时读和写保护, HSTL I/O, 完全的数据一致性,提供目前大多数数据, 带自定时后写的同步流水线读, 寄存地址,控制和数据输入/输出, 读和写口的DDR接口, 用于读和写保护的固定的4位突发, 支持时钟暂停以降低电流, 两个输入时钟(K和/K)仅用在时钟上升沿精密DDR时序, 用于输出数据的两个输入时钟(C和/C),最小化时钟歪斜和飞行时间的不匹配, 两个回声时钟(CQ和/CQ)增强输出数据可跟踪性, 单地址总线, 字节写保护, 单独读/写控制引脚, 可编输出阻抗, 和JTAG 1149.1兼容测试存取口, 165 引脚FBGA封装,尺寸为15x17mm. 下图为产品外形图.详情请上网:www.samsungsemi.com |
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