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FDC6020C:最小占位面积的1A CMOSFET

关键词：MOSFET

时间：2004-12-28 14:41:00 来源：中电网

“Fairchild 半导体公司推出业界最小占位面积的互补MOSFET解决方案FDC6020C,它能向微型"点"功率和点负载(POL)DC/DC开关转换器连续提供大于1A的电流.

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12月14日讯,Fairchild 半导体公司推出业界最小占位面积的互补MOSFET解决方案FDC6020C,它能向微型"点"功率和点负载(POL)DC/DC开关转换器连续提供大于1A的电流.FDC6020C在超小型SuperSOT-6 FLMP封装内集成了两个MOSFET,传统解决方案必须要使用两个器件或更大的占位面积封装来提供同样的高性能指标.

FDC6020C具有极好的热性能和效率特性,使用它的设备包括机顶盒(STB),数码相机和硬盘驱动器将会得到好处. FDC6020C的低阈值栅极(Vgs=2.5V)简化了采用3.3V总线转换器或单颗锂离子电池的设计.由于不需要电荷泵电路而简化.此外,每个MOSFET有极好的导通电阻特性(4.5V电压时P沟MOSFET的导通电阻为52毫欧姆, N沟MOSFET的导通电阻为27毫欧姆).它的结到外壳的热阻为1度C/W,结到环境的热阻为68度C/W,能有最大可能的电流密度而又维持最佳的工作温度.

FDC6020C的封装是SuperSOT?-6 FLMP,它的占位面积仅为9平方毫米,高度为0.8mm.这种先进的封装不需要通常的引线焊接,有更低的电阻,并使芯片的背面和封装的背面在同一平面上.共平面结构还在PCB和MOSFET芯片间(漏极)有低的热阻.

这种无铅封装满足或超过IPC/JEDEC标准J-STD-020B的规范要求,和2005年开始实行的欧盟要求兼容.

下表是FDC6020C的主要性能表:

产品	BVDSS	VGS(max)	RDS(on) 最大(mΩ)		QG(tot) 典型@ 4.5V (nC)	QGD 典型(nC)	RθJC (oC/W)	RθJA (oC/W)
产品	(V)	(V)	VGS=4.5V	VGS=2.5V	QG(tot) 典型@ 4.5V (nC)	QGD 典型(nC)	RθJC (oC/W)	RθJA (oC/W)
FDC6020C	20V/20V	12	55 / 27	82 / 39	7 / 6	1.9 / 1.8	1	68

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