CMOS-12M:主流结构ASIC系列

关键词：ASIC

时间：2005-03-25 15:25:00 来源：中电网

“3月7日讯,NEC电子(欧洲)GmbH推出采用150nm CMOS工艺的主流结构ASIC系列CMOS-12M.CMOS-12M系列有多达200万可用ASIC门,2.6Mb超高速嵌入存储器和系统性能高达200MHz,

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3月7日讯,NEC电子(欧洲)GmbH推出采用150nm CMOS工艺的主流结构ASIC系列CMOS-12M.CMOS-12M系列有多达200万可用ASIC门,2.6Mb超高速嵌入存储器和系统性能高达200MHz,非常适合用户降低它们的周转时间和开发成本.

1.5V CMOS 12M系列采用NEC电字子验证过的150nm CMOS工艺技术,系统时钟200MHz,和0.25um器件相比,改善性能50%,降低功耗大约一半.这10种新的主薄片有预扩散双端口存储器区块和模拟锁相环(PLL)嵌入在高密度的结构逻辑阵列.数字锁定延迟环路(DLL)区块遍布较大的主薄片.I/O口支持几种标准,包括LVTTL, PCITM, PCI-XTM, GTL+, LVCMOS2.5, SSTL3, SSTL2, HSTL, LVDS, LVPECL (输入).CMOS-12M能和多达4个电源相连接,支持核和输入/输出电压的要求.

CMOS-12M结构ASIC系列提供小到中等范围的主薄片,从125K到200K可用ASIC门和98Kb到2.6Mb嵌入存储器,很适合用在1K到500K中等数量的对成本敏感的地方.可提供各种低成本的封装,包括有QFP,FPBGA,PBGA和ABGA,引脚数量低到100引脚的QFP和108引脚的FPBGA.

CMOS-12M系列补足了NEC电子的即时硅解决方案平台(ISSP)结构ASIC,它包括了用于高端的有更多引脚数需要支持IP的150nm ISSP1系列和前沿的90nm ISSP90?系列.它的主要性能指标见下表:

工艺	0.15 μm CMOS工艺
可用门数量	125,000 到2,000,000门
封装	100/144/208 FP(FP), 108/160/208/304 FPBGA, 256/320/676 PBGA, 352/500/576/672/756 ABGA
电源电压	内部:1.5±0.15 V 外部:3.3 V, 2.5 V, 1.8 V, 1.5 V
功耗(VDD=1.5 V)	20nW/MHz/门(工作速率=0.35)
延迟时间	62ps (2输入NAND, F/O=1,典型线长度)
系统时钟频率	200 MHz
输出驱动能力	IOLH=3, 6, 9, 12mA
工作环境温度	TA=-40到85°C
I/O 接口	3.3V CMOS, LVTTL, LVPECL, 2.5V CMOS, 2.5V LVDS,SSTL2, SSTL3, 2.5V LVPECL, 3.3V PCI, HSTL, GTL+
存储器宏单元	同步1/2口兼容RAM
百万宏单元	-UART -PCI控制器 -DDR 控制器
嵌入宏单元	-SRAM:同步双端口兼容RAM -APLL: 相移类, SSCG类 -DLL:用于高速SDRAM 接口
嵌入和测试有关的	SCAN, BSCAN, BIST

2005年4月可提供CMOS-12M系列样品.125K 可用ASIC门和96Kb 嵌入存储器的主薄片价格从$5.0起.从掩模板定单到出货的工程样品周期时间低到两个星期.批量生产计划在2005年七月.下图为产品的外形图.详情请上网:www.necel.com

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