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28F256P30:第四代MLC NOR闪存

时间：2005-04-08 15:28:00 来源：中电网

“Intel公司推出StrataFlash嵌入式存储器28F256P30,这是一种低成本高性能NOR闪存,目标应用在消费类电子产品,工业和有线通信.

”

4月7日讯,Intel公司推出StrataFlash嵌入式存储器28F256P30,这是一种低成本高性能NOR闪存,目标应用在消费类电子产品,工业和有线通信.
P30是Intel的第四代多级单元(MLC)产品,在嵌入市场中能满足对闪存更高性能和容量的不断增长的需求.这种性能特别适合从数码相机和手持电子设备到网络路由器和交换器的平台设计.

NOR闪存是一种由Intel在1988年开发的可重写的存储器芯片,无电源时也能保存所存内容,使它非常适合用在嵌入和蜂窝应用以及其它移动设备.Intel的第四代MLC技术在每个存储器单元能提供两位信息,使得芯片面积更小,容量更高.

新的Intel StrataFlash嵌入闪存系列的容量从64Mb到1Gb,使开发者容易升级而不需要重新设计,从而最小化成本.

第四代MLC产品的主要性能如下:

业界最小的256Mb NOR闪存芯片,
Intel的每比特最低成本,适用于嵌入市场,
Intel已验证过的第四代MLC技术,提供高度可靠性的工作,
提供宽广的容量: 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb和1Gb,
有多种封装选择:TSOP, Easy BGA和Intel QUAD+SCSP,
提供有铅和无铅封装,
异步存取时间85ns,
突发模式支持40MHz的快速代码执行,
VCC 1.8V,I/O 1.7-3.6V,
工作温度-40度到85度C,
多种安全模式,
每个区块大于10万次,
支持无许可证的软件.

容量64Mb-512Mb的Intel StrataFlash嵌入存储器将在2005年第二季度提供.1Gb的器件将在2005年的下半年提供.

下图为产品外形图.详情请上网:www.intel.com

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