“瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）推出用于发射功率放大的高性能HA31005和用于接收无线电波的低噪声放大器HA31006。这些采用SiGe工艺的低电流消耗的发射功率放大器MMIC和接收低噪声放大器MMIC实现了1.5dB的低噪声性能.
”6月23日讯, 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）推出用于发射功率放大的高性能HA31005和用于接收无线电波的低噪声放大器HA31006。这些采用SiGe工艺的低电流消耗的发射功率放大器MMIC和接收低噪声放大器MMIC实现了1.5dB的低噪声性能.瑞萨科技的首批用于无线网络应用的MMIC产品的样品将从2005年8月开始在日本供货. 随着无线网络在最近几年的发展和增长，其应用的种类和形式也日渐多样化。高速、大容量通信已成为一种必需，尤其是人们需要在电脑上观看电视广播和流视频。这增加了对更高的无线网络通信速度的需求，而5GHz频段的无线网络也在变得日益普及。此外，在2005年5月，日本无线电法的局部修订增加了通道的使用数量，出现了一个易于使用的5GHz频段无线网络环境。这些5GHz频段无线网络比那些在2.4GHz频段下工作的无线网络更容易受到诸如墙壁和地板等屏蔽部分的严重影响，而且，诸如发射输出和接收灵敏度方面的性能改进对实现高发射速度是至关重要的。针对这个背景，瑞萨科技利用发射功率放大器HA31005和接收低噪声放大器HA31006的发布进入了5GHz频段的无线网络 MMIC市场，采用SiGe工艺技术比采用InGaP和GaAs工艺的器件更加环保，还可以节省制造成本，与InGaP和GaAs工艺器件可实现同样的高性能. 这两种器件的特性总结如下: 1. HA31005具有高性能发射功率放大器MMIC的特性。 (1) 采用环保型SiGe工艺和完全无铅封装 大多数用于5GHz频段的无线网络终端的发射功率放大器MMIC都是采用InGaP和GaAs 工艺，瑞萨科技的产品使用了一种不包含任何增加环境负担的物质的SiGe工艺。这些器件可以作为其他普通工业材料进行相应的处理，它与InGaP和GaAs工艺的产品相比，具有更容易处理的特点。该封装是完全无铅的，在裸片压焊或电极上都没有使用铅。 (2) 与采用InGaP和GaAs工艺的产品具有同样的低电流耗散和高增益性能其在180mA时的低电流耗散可达到+18dBm的输出。其他性能与采用InGaP和GaAs工艺的产品保持着同样水平的高性能，具有63mW（+18dBm）的输出（在4%EVM）和在5.2GHz频率下的22dB功率增益。这保证了可以在低系统功耗的情况下，实现IEEE802.11a标准的无线网络。 HA31005可减少寄生电容和寄生电感，这是引起高频特性渐衰的原因，通过使用一种超精细SiGE HBT工艺和晶体管模型使之得到了优化。此外，还利用片上偏置电路的优化实现了低失真，抑制了IEEE802.11a数字调制信号的信号渐衰。这使之有可能在5.2GHz频率、EVM为4%的63mW（+18dBm）输出功率下，实现22dB的功率增益，同时得到180mA（3.3V电源电压）的低电流耗散。其封装采用的是小型表面安装16引脚WQFN0303（瑞萨封装编代码，3.0×3.0×0.8mm）. 2. HA31006低噪声放大器MMIC的特性 (1) 业界最低的噪声性能 一个低噪声放大器MMIC能够在接收期间对极小信号水平的无线电波进行放大，同时应该尽可能地向下抑制噪声。作为用于5GHz频段无线网络的低噪声放大器MMIC，HA31006实现了业界最低的噪声性能，其在5.2GHz时的噪声系数为1.5dB。它在3V工作电压时的电流消耗也很小，只有7mA，能够在低功耗情况下改善无线网络系统的接收灵敏度性能。HA31006可实现5.2GHz频率下的1.5dB噪声系数（NF），通过使用高性能的SiGe晶体管和一种简单的电路配置，可在7mA（3V电源电压）电流耗散条件下实现18dB的功率增益（PG）。这使之有可能在低功耗条件下改善5GHz频段无线网络的接收灵敏度。其输入/输出调节匹配电路使之有可能在1到6GHz的频率上使用HA31006，并可用于采用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g标准的无线网络设备接收器。它的封装采用的是小型表面安装6引脚WSON0202（2.0×2.0×0.8mm），能够节省接收器设计的空间. 下图为产品外形图.详情请上网: http://www.hk.renesas.com |
6月23日讯, 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）推出用于发射功率放大的高性能HA31005和用于接收无线电波的低噪声放大器HA31006。这些采用SiGe工艺的低电流消耗的发射功率放大器MMIC和接收低噪声放大器MMIC实现了1.5dB的低噪声性能.瑞萨科技的首批用于无线网络应用的MMIC产品的样品将从2005年8月开始在日本供货. 随着无线网络在最近几年的发展和增长，其应用的种类和形式也日渐多样化。高速、大容量通信已成为一种必需，尤其是人们需要在电脑上观看电视广播和流视频。这增加了对更高的无线网络通信速度的需求，而5GHz频段的无线网络也在变得日益普及。此外，在2005年5月，日本无线电法的局部修订增加了通道的使用数量，出现了一个易于使用的5GHz频段无线网络环境。这些5GHz频段无线网络比那些在2.4GHz频段下工作的无线网络更容易受到诸如墙壁和地板等屏蔽部分的严重影响，而且，诸如发射输出和接收灵敏度方面的性能改进对实现高发射速度是至关重要的。针对这个背景，瑞萨科技利用发射功率放大器HA31005和接收低噪声放大器HA31006的发布进入了5GHz频段的无线网络 MMIC市场，采用SiGe工艺技术比采用InGaP和GaAs工艺的器件更加环保，还可以节省制造成本，与InGaP和GaAs工艺器件可实现同样的高性能. 这两种器件的特性总结如下: 1. HA31005具有高性能发射功率放大器MMIC的特性。 (1) 采用环保型SiGe工艺和完全无铅封装 大多数用于5GHz频段的无线网络终端的发射功率放大器MMIC都是采用InGaP和GaAs 工艺，瑞萨科技的产品使用了一种不包含任何增加环境负担的物质的SiGe工艺。这些器件可以作为其他普通工业材料进行相应的处理，它与InGaP和GaAs工艺的产品相比，具有更容易处理的特点。该封装是完全无铅的，在裸片压焊或电极上都没有使用铅。 (2) 与采用InGaP和GaAs工艺的产品具有同样的低电流耗散和高增益性能其在180mA时的低电流耗散可达到+18dBm的输出。其他性能与采用InGaP和GaAs工艺的产品保持着同样水平的高性能，具有63mW（+18dBm）的输出（在4%EVM）和在5.2GHz频率下的22dB功率增益。这保证了可以在低系统功耗的情况下，实现IEEE802.11a标准的无线网络。 HA31005可减少寄生电容和寄生电感，这是引起高频特性渐衰的原因，通过使用一种超精细SiGE HBT工艺和晶体管模型使之得到了优化。此外，还利用片上偏置电路的优化实现了低失真，抑制了IEEE802.11a数字调制信号的信号渐衰。这使之有可能在5.2GHz频率、EVM为4%的63mW（+18dBm）输出功率下，实现22dB的功率增益，同时得到180mA（3.3V电源电压）的低电流耗散。其封装采用的是小型表面安装16引脚WQFN0303（瑞萨封装编代码，3.0×3.0×0.8mm）. 2. HA31006低噪声放大器MMIC的特性 (1) 业界最低的噪声性能 一个低噪声放大器MMIC能够在接收期间对极小信号水平的无线电波进行放大，同时应该尽可能地向下抑制噪声。作为用于5GHz频段无线网络的低噪声放大器MMIC，HA31006实现了业界最低的噪声性能，其在5.2GHz时的噪声系数为1.5dB。它在3V工作电压时的电流消耗也很小，只有7mA，能够在低功耗情况下改善无线网络系统的接收灵敏度性能。HA31006可实现5.2GHz频率下的1.5dB噪声系数（NF），通过使用高性能的SiGe晶体管和一种简单的电路配置，可在7mA（3V电源电压）电流耗散条件下实现18dB的功率增益（PG）。这使之有可能在低功耗条件下改善5GHz频段无线网络的接收灵敏度。其输入/输出调节匹配电路使之有可能在1到6GHz的频率上使用HA31006，并可用于采用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g标准的无线网络设备接收器。它的封装采用的是小型表面安装6引脚WSON0202（2.0×2.0×0.8mm），能够节省接收器设计的空间. 下图为产品外形图.详情请上网: http://www.hk.renesas.com |
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