“IR公司推出用于12V 100A ORing的参考设计IRAC5001-HS100A.由于系统效率和成本的优势, Active ORing长期以来在大电流12V系统中替代二极管ORing.
”IRAC5001-HS100A:12V 100A ORing参考设计 |
6月29日讯,IR公司推出用于12V 100A ORing的参考设计IRAC5001-HS100A.由于系统效率和成本的优势, Active ORing长期以来在大电流12V系统中替代二极管ORing.现在,和同类的等效TO-220器件相比,IRAC5001解决方案降低了所需的FET数量50%.此外,由于采用DirectFET MOSFET双边冷却的功能,解决方案的体积至少降低了60%.  参考设计包括四个并联的IRF6609 20V 2毫欧姆DirectFET? MOSFET,等效的导通电阻RDS(on)为0.5毫欧姆,用于带有快速故障检测和反应时间130ns的高效率ORing电路.在这种参考设计中有"FET检测"特性,允许实时"FET良好"检测,用于额外的故障保护,使大功率电源系统中有最大可能的可靠性. 对于许多需要最大工作时间的高端系统如载波级通信设备和通信和数据通信服务器, Active ORing是关键的效率要求.IR的IR5001S IC非常适合用在高可靠性服务器和存储系统,那里需要"N+1"冗余电源向中心负载供电. 现在可提供IRAC5001-HS100A.单价为$250.0.下图为参考设计板的外形图.详情请上网:www.irf.com |
IRAC5001-HS100A:12V 100A ORing参考设计 |
分享到：
猜你喜欢
中电网官方微博