MT47H512M4HG:2Gb DDR2 DRAM

关键词：存储器 DDR2 DRAM

时间：2005-08-03 15:40:00 来源：中电网

“月18日讯,Micron公司推出2Gb双数据速率(DDR2)存储器元件MT47H512M4HG.这种2Gb元件设计用来组成8GB大容量存储器模块,以比现有元件更小的空间和功耗为每个服务器提供更多的存储器容量.

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7月18日讯,Micron公司推出2Gb双数据速率(DDR2)存储器元件MT47H512M4HG.这种2Gb元件设计用来组成8GB大容量存储器模块,以比现有元件更小的空间和功耗为每个服务器提供更多的存储器容量.

MT47H512M4HG 2Gb DDR2元件样品为用户提供了先进存储器解决方案.以前,Micron公司曾推出用于所有主要x86服务器平台的1Gb DDR2 和1Gb DDR器件以及VLP注册双列直插存储器模块(RDIMM) 110nm 1Gb DDR,1Gb DDR2,4Gb DDR RDIMM以及4GB DDR2 RDIMM.

MT47H512M4HG 2Gb DDR2元件的主要性能如下:

VDD+1.8V,VDDQ=1.8V,
I/O+SSTL-18,
每引脚的带宽400Mbps,数据速率为533Mbps,
对于64位系统,3200MBps和4300MBps,
数据预取4n,
256Mb和512Mb容量为4组,
1Gb和2Gb容量为8组,
突发长度4或8,
WRITE等待=READ等待-1个时钟,
可选择差分数据选通,
可选择复制RDQS数据选通,
读等待:3,4和5时钟,
后CAS#附加等待:1,1,2,3和4时钟,
芯片内终止(ODT),
可选择片外驱动器(OCD)输出阻抗校准,
无铅FBGA封装.

2005年下半年可提供工程样品.批量生产将在2006年第四季度.下图为产品外形图.详情请上网:www.micron.com

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