130nm 8HP:第四代硅锗(SiGe) BiCMOS工艺

关键词：BiCMOS SiGe 工艺技术

时间：2005-08-08 15:40:00 来源：中电网

“8月5日讯,IBM公司宣布它的第四代硅锗工艺技术8HP具有比以前的工艺2X性能.这种称为8HP的130nm硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(DiCMOS)工艺术能降到移动消费类电子产品和先进的高带宽无线通信系统的成本,能助于创新应用如汽车防碰撞雷达.

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8月5日讯,IBM公司宣布它的第四代硅锗工艺技术8HP具有比以前的工艺2X性能.这种称为8HP的130nm硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(DiCMOS)工艺术能降到移动消费类电子产品和先进的高带宽无线通信系统的成本,能助于创新应用如汽车防碰撞雷达.

和8HP一起,IBM还提供更低成本的目标在无线应用的8WL工艺技术,能使手机有更长的电池寿命和增加功能,以帮助扩展无线局域网和全球卫星定位(GPS)技术.

新的130nm SiGe BiCMOS技术所应用的产品包括有:

新兴的汽车电子安全系统,包括用于盲边检测的24GHz 雷达和用于防碰撞告警或先进的缓慢巡行控制的77GHz雷达,

60GHz Wi-Fi芯片,这是下一代无线个人区域网络和骨干网络所用的芯片,

用于蜂窝手持设备的软件定义无线电,它能把天线上的信号直接转换成数字格式.单片可使用到多种标准和各种全球移动网络,发送语音,数据和视频信号,

用于数据采集,直接到基带无线接收器,信号合成以及更多应用的高速ADC和DAC.

BM新的130nm SiGe BiCMOS技术比目前的180nm SiGe技术,提供更高的性能,更低的功耗和更高的集成度.这种技术和IBM的ASIC技术平台兼容,使得用户能分割IP电路区块和标准单元库元件.130nm工艺平台还包括可选择的RF CMOS工艺技术,使IBM的制造客户有RF和混合信号的各种工艺选择.

其它的技术特性还包括有:

基于SiGE BiCMOS的130nm光刻技术,
先进的SiGe NPN晶体管,发射极宽度=120nm, Ft=200GHz(8HP), Ft=100GHz (8WL),
130nm的CMOS FET,1.5V/2.5V,
铜全局连线+厚铝顶部金属连线,
成套的无源电阻,变容二极管,MOS和MIM电容以及高Q电感器,
过程设计工具具有精密的RF器件模型.

详情请上网:www.ibm.com

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