“安森美半导体（ON Semiconductor）公司推出微型ESD双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管uESD3.3D和uESD5.0D.uESD双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计，适于需要最小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统.
”8月3日讯, 安森美半导体（ON Semiconductor）公司推出微型ESD双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管uESD3.3D和uESD5.0D.uESD双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计，适于需要最小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统. 这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的ESD抑制性能。μESD双串联可在不足1ns内钳制30kV ESD瞬流（符合IEC61000-4-2标准），确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将ESD脉冲电压钳制至低于7伏特（V），以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰. 安森美半导体的uESD双器件提供了替代常用多层可变电阻(MLV)的令人注目的方案。uESD双器件可以在小于两个0402 MLV的板面积内保护两条线路，同时具有多种性能优势，包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短，且能够承受多次ESD冲击，而在电气性能上不会出现偏移. uESD双串联系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封装。由于其外形尺寸仅为1.2 mm x 1.2 mm，因此对板面积受限的设计人员而言是理想的选择。由于此封装的高度仅有0.5 mm，设计人员因此能够在不影响功能的同时，实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中，可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量，从而简化了封装工艺。 这些新型ESD保护器件关断状态的漏电电流超低，仅为0.05 毫安（μA），提高电路效率和电池使用寿命，非常适于手持式产品应用。它们的电容较小，仅为35pF,适于为数据速率高达10Mb/s的数据线提供保护。 uESD3.3D和uESD5.0D采用SOT-723封装.10K量的单价为$0.070.下图为产品外形图.详情请上网:www.onsemi.com |
8月3日讯, 安森美半导体（ON Semiconductor）公司推出微型ESD双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管uESD3.3D和uESD5.0D.uESD双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计，适于需要最小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统. 这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的ESD抑制性能。μESD双串联可在不足1ns内钳制30kV ESD瞬流（符合IEC61000-4-2标准），确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将ESD脉冲电压钳制至低于7伏特（V），以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰. 安森美半导体的uESD双器件提供了替代常用多层可变电阻(MLV)的令人注目的方案。uESD双器件可以在小于两个0402 MLV的板面积内保护两条线路，同时具有多种性能优势，包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短，且能够承受多次ESD冲击，而在电气性能上不会出现偏移. uESD双串联系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封装。由于其外形尺寸仅为1.2 mm x 1.2 mm，因此对板面积受限的设计人员而言是理想的选择。由于此封装的高度仅有0.5 mm，设计人员因此能够在不影响功能的同时，实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中，可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量，从而简化了封装工艺。 这些新型ESD保护器件关断状态的漏电电流超低，仅为0.05 毫安（μA），提高电路效率和电池使用寿命，非常适于手持式产品应用。它们的电容较小，仅为35pF,适于为数据速率高达10Mb/s的数据线提供保护。 uESD3.3D和uESD5.0D采用SOT-723封装.10K量的单价为$0.070.下图为产品外形图.详情请上网:www.onsemi.com |
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