“ON Semiconductor发布新系列高性能低Vce(sat)双极型晶体管(BJT)。新系列晶体管降低了整个电路成本，提高了电源效率并延长了各种便携式应用，包括蜂窝电话、PDA、媒体播放器、笔记本电脑与数码相机中电池的使用寿命。
”10月6日讯，ON Semiconductor发布新系列高性能低Vce(sat)双极型晶体管(BJT)。新系列晶体管降低了整个电路成本，提高了电源效率并延长了各种便携式应用，包括蜂窝电话、PDA、媒体播放器、笔记本电脑与数码相机中电池的使用寿命。 这些创新的低Vce(sat) BJT新系列为微型表面组装器件，具有超低饱和电压 (Vce(sat))及大电流增益能力。主要用于高效节能控制仍很重要的低电压高速开关应用。其理想应用包括功率管理、电池充电、低压降调整器、振荡器马达、LED背景光、电池管理、磁盘驱动控制与照相机闪光灯。为了帮助便携式及无线产品制造商缓解从设计的每个方面都要缩减成本的巨大压力，ON Semiconductor观察到模拟IC和分立元件潜在的成本节省能力。通过采用改进的硅技术与先进的封装，ON Semiconductor研发新系列小型节约成本的BJT，提供与更昂贵的分立解决方案中Rds(on)性能等同的低饱和电压性能。 ON Semiconductor新Vce(sat) BJT具有高静电放电(ESD)容差，有助于保护敏感器件使其免受损坏。出众的电性能与低温度系数运作提高了电源效率，最终保存了电池能量。新的晶体管可以通过减少某些应用所需的元件数量而进一步降低整个材料清单(BOM)成本。例如，当提供低于1.0V的低正向开启电压时，Vce(sat) BJT无须使用通常所需的典型的电荷泵。同时，由于它的双向电流阻塞能力,不再使用阻塞二极管。 具体的器件性能如下： PNP 器件 NSS12200WT1G 12 V, 3.0 A, 163毫欧姆(SC-88) NSS30070MR6T1G 30 V, 0.7 A, 320毫欧姆(SC-74) NSS35200CF8T1G 35 V, 7.0 A, 78毫欧姆(ChipFET) NSS40400CF8T1G 40 V, 7.0 A, 78毫欧姆(ChipFET) NSS20300MR6T1G 20 V, 5.0 A, 78毫欧姆(TSOP-6) NSS30100LT1G 30 V, 2.0 A, 200毫欧姆(SOT-23) NSS35200MR6T1G 35 V, 5.0 A, 100毫欧姆(TSOP-6) NPN 器件 NSS20201MR6T1G 20 V, 3.0 A, 100毫欧姆(TSOP-6) NSS30101LT1G 30 V, 2.0 A, 100毫欧姆(SOT-23) NSS30071MR6T1G 30 V, 0.7 A, 200毫欧姆(SC-74) NSS30201MR6T1G 30 V, 3.0 A, 100毫欧姆(TSOP-6) 低Vce(sat) BJT系列有多种业内领先的封装形式（包括SOT-23、 SC-88、 SC-74、 TSOP-6 与 ChipFET等）。10K量时，单价在0.07美元到0.16美元不等。 下图为产品外形图.详情请上网:www.onsemi.com |
10月6日讯，ON Semiconductor发布新系列高性能低Vce(sat)双极型晶体管(BJT)。新系列晶体管降低了整个电路成本，提高了电源效率并延长了各种便携式应用，包括蜂窝电话、PDA、媒体播放器、笔记本电脑与数码相机中电池的使用寿命。 这些创新的低Vce(sat) BJT新系列为微型表面组装器件，具有超低饱和电压 (Vce(sat))及大电流增益能力。主要用于高效节能控制仍很重要的低电压高速开关应用。其理想应用包括功率管理、电池充电、低压降调整器、振荡器马达、LED背景光、电池管理、磁盘驱动控制与照相机闪光灯。为了帮助便携式及无线产品制造商缓解从设计的每个方面都要缩减成本的巨大压力，ON Semiconductor观察到模拟IC和分立元件潜在的成本节省能力。通过采用改进的硅技术与先进的封装，ON Semiconductor研发新系列小型节约成本的BJT，提供与更昂贵的分立解决方案中Rds(on)性能等同的低饱和电压性能。 ON Semiconductor新Vce(sat) BJT具有高静电放电(ESD)容差，有助于保护敏感器件使其免受损坏。出众的电性能与低温度系数运作提高了电源效率，最终保存了电池能量。新的晶体管可以通过减少某些应用所需的元件数量而进一步降低整个材料清单(BOM)成本。例如，当提供低于1.0V的低正向开启电压时，Vce(sat) BJT无须使用通常所需的典型的电荷泵。同时，由于它的双向电流阻塞能力,不再使用阻塞二极管。 具体的器件性能如下： PNP 器件 NSS12200WT1G 12 V, 3.0 A, 163毫欧姆(SC-88) NSS30070MR6T1G 30 V, 0.7 A, 320毫欧姆(SC-74) NSS35200CF8T1G 35 V, 7.0 A, 78毫欧姆(ChipFET) NSS40400CF8T1G 40 V, 7.0 A, 78毫欧姆(ChipFET) NSS20300MR6T1G 20 V, 5.0 A, 78毫欧姆(TSOP-6) NSS30100LT1G 30 V, 2.0 A, 200毫欧姆(SOT-23) NSS35200MR6T1G 35 V, 5.0 A, 100毫欧姆(TSOP-6) NPN 器件 NSS20201MR6T1G 20 V, 3.0 A, 100毫欧姆(TSOP-6) NSS30101LT1G 30 V, 2.0 A, 100毫欧姆(SOT-23) NSS30071MR6T1G 30 V, 0.7 A, 200毫欧姆(SC-74) NSS30201MR6T1G 30 V, 3.0 A, 100毫欧姆(TSOP-6) 低Vce(sat) BJT系列有多种业内领先的封装形式（包括SOT-23、 SC-88、 SC-74、 TSOP-6 与 ChipFET等）。10K量时，单价在0.07美元到0.16美元不等。 下图为产品外形图.详情请上网:www.onsemi.com |
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