“柔性TFT-SRAM的厚度为200um,每个单元包括六个晶体管,容量16Kb,可用作异步8位微处理器”ACT11”的工作存储器.
”11月10日讯，Seiko Epson 公司("Epson")宣布，它已经开发出业内首款柔性TFT-SRAM (16 kbits)。公司期望TFT-SRAM在未来被用作小而轻的柔性电子器件的关键元件。 近年来，Epson在开发小型节约能源的电子器件方面享有盛誉。基于它的技术与专业经验，Epson现在开始注重薄而轻的柔性器件开发。为了实现这一目标，Epson研发了独创的技术,包括低温聚合硅技术采用薄膜成型技术和SUFTLA，它可将TFT电路从玻璃基底转换到柔性基底上。为了开发这款TFT-SRAM，Epson将组成存储器的所有电路模块集成到塑料基底的单芯片上，这样可使TFT-SRAM在低电压下高速稳定运行。 TFT-SRAM可用作该公司异步8位微处理器"ACT11"的工作存储器，公司研究人员已成功演示了基于TFT-SRAM 与ACT11组合功能。目前，除了探索潜在应用外，公司仍继续在柔性电子器件技术上的进行研究。 特性 真正的TFT-SRAM，每个单元包括六个晶体管； 通过在柔性基底上集成感应放大器实现存取时间短； TFT-SRAM可用作该公司异步8位微处理器ACT11的工作存储器； 规格
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11月10日讯，Seiko Epson 公司("Epson")宣布，它已经开发出业内首款柔性TFT-SRAM (16 kbits)。公司期望TFT-SRAM在未来被用作小而轻的柔性电子器件的关键元件。 近年来，Epson在开发小型节约能源的电子器件方面享有盛誉。基于它的技术与专业经验，Epson现在开始注重薄而轻的柔性器件开发。为了实现这一目标，Epson研发了独创的技术,包括低温聚合硅技术采用薄膜成型技术和SUFTLA，它可将TFT电路从玻璃基底转换到柔性基底上。为了开发这款TFT-SRAM，Epson将组成存储器的所有电路模块集成到塑料基底的单芯片上，这样可使TFT-SRAM在低电压下高速稳定运行。 TFT-SRAM可用作该公司异步8位微处理器"ACT11"的工作存储器，公司研究人员已成功演示了基于TFT-SRAM 与ACT11组合功能。目前，除了探索潜在应用外，公司仍继续在柔性电子器件技术上的进行研究。 特性 真正的TFT-SRAM，每个单元包括六个晶体管； 通过在柔性基底上集成感应放大器实现存取时间短； TFT-SRAM可用作该公司异步8位微处理器ACT11的工作存储器； 规格
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