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ST的90nm 512/256/128Mb NAND闪存系列

关键词:90nm NAND闪存

时间:2006-01-25 18:17:00      来源:中电网

90nm的512Mb闪存器件为诸如数码相机,PDA,GPS导航系统,DTV和低容量闪存卡等提供节省成本的存储解决方案.

1月19日讯,ST公司宣布它的小容量NAND闪存系列现在过度到90nm工艺技术.128Mb,256Mb和512Mb闪存器件的完整过度到这种先进的制造工艺,确定了这种一流的NAND技术,将会为诸如数码相机,PDA,GPS导航系统,低容量闪存卡,USB驱动,打印机,机顶盒,数字电视(DTV),汽车多媒体系统和多媒体手机等产品提供节省成本的存储解决方案.
NAND闪存器件提供超快的吞吐量和擦除功能.所有系列产品的地址线和数据输入/输出信号复接到8位总线,降低了引脚数量,允许使用模块化NAND接口,使得系统不用改变器件占位面积就能采用更高(或更低)容量的器件.

ST所提供的软件工具链允许采用新存储器芯片能迅速开发产品,这还有助于延长它们的使用寿命.工具包括误差修正代码(ECC)软件;识别和替代在擦除或编程操作中出现故障的区块(把它的数据复制到有效的区块)的坏区管理(BBM);由于在所有区块中分配擦除和编程操作,老化水平算法优化了器件的使用;文件系统OS基准软件以及硬件仿真模型.

存储器配置成16KB区块,每个区块分成每页512B,每页有16B备用字节,能由页读和编程.备用字节主要用作误差修正代码,软件标识或坏区块鉴别.拷贝回存编程模式使存储在一页的数据能直接编程到另一页而不需要外接缓冲,如果页程序操作由于有缺陷区块而失效,这种特性能用来传输数据.还提供擦除时间2ms的区块擦除指令.每个区块有10万次编程和擦除,数据保存期10年.

器件还有"芯片使能不管"特性,简化了微控制器接口和其它类型存储器如NOR闪存和xRAM一起的NAND闪存的有效使用,存储器组合常用在需要更快速度的器件如代码和工作存储器,而更低成本和更大容量NAND存储器则用在大文件存储.独特的器件ID能在工厂编程,而用户可编程的系列号码在目标应用中增加了安全性.

现在可提供90nm小容量NAND闪存系列.它们具有下列的特性:
100K量的单价,128Mb的$3.0起,256Mb的$4.0起,而512Mb的$5.0起.
下图为产品外形图.详情请上网:www.st.com


1月19日讯,ST公司宣布它的小容量NAND闪存系列现在过度到90nm工艺技术.128Mb,256Mb和512Mb闪存器件的完整过度到这种先进的制造工艺,确定了这种一流的NAND技术,将会为诸如数码相机,PDA,GPS导航系统,低容量闪存卡,USB驱动,打印机,机顶盒,数字电视(DTV),汽车多媒体系统和多媒体手机等产品提供节省成本的存储解决方案.
NAND闪存器件提供超快的吞吐量和擦除功能.所有系列产品的地址线和数据输入/输出信号复接到8位总线,降低了引脚数量,允许使用模块化NAND接口,使得系统不用改变器件占位面积就能采用更高(或更低)容量的器件.

ST所提供的软件工具链允许采用新存储器芯片能迅速开发产品,这还有助于延长它们的使用寿命.工具包括误差修正代码(ECC)软件;识别和替代在擦除或编程操作中出现故障的区块(把它的数据复制到有效的区块)的坏区管理(BBM);由于在所有区块中分配擦除和编程操作,老化水平算法优化了器件的使用;文件系统OS基准软件以及硬件仿真模型.

存储器配置成16KB区块,每个区块分成每页512B,每页有16B备用字节,能由页读和编程.备用字节主要用作误差修正代码,软件标识或坏区块鉴别.拷贝回存编程模式使存储在一页的数据能直接编程到另一页而不需要外接缓冲,如果页程序操作由于有缺陷区块而失效,这种特性能用来传输数据.还提供擦除时间2ms的区块擦除指令.每个区块有10万次编程和擦除,数据保存期10年.

器件还有"芯片使能不管"特性,简化了微控制器接口和其它类型存储器如NOR闪存和xRAM一起的NAND闪存的有效使用,存储器组合常用在需要更快速度的器件如代码和工作存储器,而更低成本和更大容量NAND存储器则用在大文件存储.独特的器件ID能在工厂编程,而用户可编程的系列号码在目标应用中增加了安全性.

现在可提供90nm小容量NAND闪存系列.它们具有下列的特性:
 
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