Renesas发布高性能硅锗MMIC HA31010

HA31010的特点：
(1) 2.4GHz/5GHz双模操作
在一个单芯片中集成了一个支持IEEE802.11b/g*2无线局域网标准的2.4GHz频带放大器电路，以及一个支持IEEE802.11a*2标准的5GHz频带放大器电路，以提供双模操作。与使用两个分立的2.4GHz和5GHz的瑞萨硅锗MMIC相比，它可以使安装面积%减少大约40％。

(2) 高增益和低电流耗散
HA31010可实现硅锗MMIC的高增益及业界最低的电流耗散水平，在使用2.4GHz频带时，其功率增益为28dB，电流耗散为130mA；在使用5GHz频带时，其功率增益为24dB，电流耗散为160mA。

(3) 片上切换电路
利用易于实现的硅锗CMOS工艺*3将一个采用MOSFET的切换电路集成到HA31010 中。这有助于放大器电路在2.4GHz/5GHz频带之间的切换，并进行传输和接收切换，而无需增加一个外部切换器件。此外，其待机电流非常低，在0.1μA以下，这是其降低功耗的关键。

(4) 片上输出功率检测器电路
为了有效地达到无线局域网设备的低功耗要求，就需要一种可实现通信所需最小输出功率的自动输出功率控制功能。HA31010集成了一个作为实现该功能传感器的输出功率检测器电路，有效地减少了元件数目，同时也缩小了占板面积更。 HA31010的主要特性
" 2.4GHz频带和5GHz频带放大器电路以平行的方式集成在一个单个芯片中，可提供一种紧凑外形的2.4GHz/5GHz双模产品。
" 采用一种超精细硅锗CMOS工艺实现了高度集成，可对晶体管形成和电路布局进行优化，以减少可导致高频特性下降的寄生电容和寄生感应*5。这使之可以在2.4GHz时实现28dB的功率增益，4%的EVM*6的79mW（+19dBm）输出功率，以及130mA（使用3.3V电源电压）的电流耗散；在5.2GHz时，功率增益为24dB，4%的EVM的输出功率为63mW（+18dBm），电流耗散为160mA（使用3.3V电源电压）。
" 一个采用MOSFET的片上切换电路可以实现双频带放大器电路通/断控制，并简化频带切换和发送/接收切换的设计。
" 封装采用小型表面贴装的24引脚WQFN0404（瑞萨封装代码），尺寸为4.0mm×4.0mm×0.8mm。

HA31010采用导电银浆材料以改善集成电路芯片裸片焊接的可靠性和传导率；此外，封装电极镀层采用了Sn-Bi（锡铋），以实现完全的无铅封装。

详情请上网：http://www.hk.renesas.com