富士通采用65纳米技术开发256Mbit FeRAM新材料

使用基于BFO的材料，在类似于采用180nm技术制造FeRAM的装置内，采用富士通的65nm工艺技术就可以生产出新的FeRAM。这种材料的使用，可以将FeRAM的记忆容量扩展到256M bit。

鉴于新一代个人化移动电子产品（例如IC卡）必须具有小巧、安全、易于操作等特点，新的FeRAM将在功耗和速度方面有大幅的改善，以便满足此种需要。 对于这类电子产品来说，FeRAM技术可以提供最适合的非易失记忆设备，预计样品将会在2009年发布。

BFO是由铋、铁和氧原子构成的具有钙钛矿型结构的铁电材料。目前普遍使用的铁电材料是锆钛酸铅(PZT或Pb(Zr,Ti)O3)，但是，它的蓄电能力低，可升级性有限。PZT的技术局限在130nm节点就会反映出来，因为随着存储单元区的减少，对极化的要求就越高。这个技术局限预计将在2009年出现。

以前曾开发过一种加入锰的BFO薄膜电容器，它能够减少泄漏电流 ，并具有180-220 C/cm2的交换电(switching charge) Qsw, 这相当于剩余极化2Pr的两倍。 这些都充分显示了将来在技术节点方面巨大的升级潜力。

采用65nm技术制造的FeRAM可以使用加入锰的BFO来制造，其生产设备与当前使用180nm技术生产FeRAM所用的类似。使用这种新材料的FeRAM还具有极大的可升级性，能够使存储容量达到2014。

应用

随着对BFO的深入开发，大容量的256Mbit FeRAM可以得到实现，这种FeRAM与现有的1Mbit容量相比，密度将会高出2个等级。密度的提高，使得FeRAM的应用将在新的领域(例如，快速启动，它使计算机在开机后能够立刻使用)得到扩展，而不再仅限于在安全应用领域。FeRAM还可以用于电子纸设备，该设备能让用户浏览和阅读传统上印刷在纸张上的大量信息。 详情请访问：http://jp.fujitsu.com