“全新硬盘读取IC（集成电路）内核，具有超过2.6Gbps的数据率，面向支持6 Gbps硬盘串口标准的片上系统，实现了业内最佳性能。
”| 英飞凌宣布该公司展示了一款硬盘读取IC（集成电路）内核的功能以及超过2.6 Gbps（千兆位每秒）的数据率，是业内90 nm （纳米）读取通道最高的数据率，比前一代器件几乎要快30%。该内核是英飞凌与日立环球存储科技有限公司联合开发的第三代读取通道。它被集成至一个片上系统（SoC）器件，该器件包含控制硬盘的所有必要功能，包括将率先同时支持4.25 Gbps光纤通道和即将推出的6 Gbps SAS （串行连接SCSI）和S-ATA （串行ATA） 标准的PHY （物理层）内核。该片上系统预计在2007年初全面投产。 高通道数据率以及低功耗是为企业市场产品成功开发经济型硬盘片上系统解决方案的关键， 90 nm读取通道核实现了业内最佳的数据率。这体现了英飞凌在设计驱动应用IC方面的丰富经验。 2.6 Gbps 90 nm内核是2005年推出并开始样品生产的内核的更高速度版本。该产品是英飞凌全系列读取通道IP组合的一员，满足各种HDD细分市场的需求：消费类/超低功率、移动、台式机和企业等。不同的读取通道内核版本源于共同的架构，是通过针对各个细分市场的特定目标参数进行定制设计实现的。 英飞凌ASIC 设计与安全业务部的所有90 nm片上系统产品可以在世界范围内的多个制造厂生产，从而可以保证供应的持续性，并为客户提供灵活的供应链以及扩大量产的机会。目前，支持英飞凌90 nm 工艺的晶圆厂包括英飞凌德国德累斯顿工厂和台湾联华电子公司。 详情请访问：www.infineon.com。 |
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