瑞萨发布第二代集成驱动器MOSFET R2J20602NP

R2J20602NP符合英特尔公司提议的"集成驱动器MOSFET（DrMOS）"封装标准（以下称作"DrMOS"）。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继第一代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。

R2J20602NP的特性总结如下。
（1）40A的最大输出电流
40A的最大输出电流--代表了业界的最高性能--采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。

（2）与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上
当工作在1MHz开关频率时，其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平（Vin = 12V，Vout = 1.3V）。其输出电流为25A，功率损耗为4.4W，比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的最终产品。

（3）小型封装与第一代产品引脚安排兼容
其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8×8×0.95（mm）的小型56引脚QFN封装适用于高速交换，有助于使用更小的外部电感器和电容器等无源元件，并可减少元件数量。这将使VR变得更小。

R2J20602NP在56引脚QFN封装中集成了两个功率MOSFET和一个驱动器IC（一个高端MOSFET和一个低端MOSFET）。单封装设计有助于大幅度降低器件之间的布线寄生电感，使R2J20602NP适用于高频操作。瑞萨科技用在这个产品中的最新功率MOSFET可提供业界最高的性能。低端MOSFET集成了肖特基势垒二极管，可以减少开关损耗，驱动器IC专门用来优化MOSFET的通/断控制。

该封装采用无铅高辐射类型小安装面积封装，符合英特尔公司提出的DrMOS封装标准。最小的封装尺寸为8×8×0.95（mm），封装内采用的是无线铜板构造（copper plate construction）内部连接，可大幅度降低阻抗。占用了封装背面大部分表面的引脚可以增加电流路径，有助于处理电流和散热问题。

新型R2J20602NP第二代DrMOS兼容产品是专门为12V输入的低电压输出应用优化的，例如，在f = 1MHz，Vin = 12V，和Vout = 1.3V的条件下，可实现业界约89%的最高效率水平。高速运行可使外部无源元件更小，元件数量更少，从而减小电源的尺寸。

<典型应用>
·台式电脑、服务器等的CPU的VR
·高性能GPU（图形处理单元）和大电流DSP的DC-DC转换器
·通信等POL（负载点）转换器

详情请访问： www.cn.renesas.com