“FDMC2610具有极低的米勒电荷（3.6nC）和导通阻抗（200mΩ），在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。
”| 采用超紧凑型（3mm×3mm）模塑无脚封装（MLP）的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关，能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 200V的FDMC2610具有极低的米勒电荷（3.6nC）和导通阻抗（200mΩ）。这些特性使其品质系数（FOM）降低了27%，并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。FDMC2610还具有极佳的热阻（3℃/W），在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 除了能提供出色的热性能和开关性能外，这些UltraFET器件仅占用较DC/DC转换器设计常用的SO-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小MOSFET的占位面积及增强封装热容量，以便设计出更小型，更高功率密度的DC/DC转换器。 150V P沟道平面型UltraFET器件FDMC2523P，与三种N沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要N沟道和P沟道MOSFET的应用而开发。 详情请访问：www.fairchildsemi.com
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