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Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

时间：2007-02-07 17:37:00 来源：中电网

“新器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。

”

Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。

这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者均为SOT23封装）。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。
三款新 MOSFET可确保1.8VGS 条件下的导通电阻 (RDS(ON) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。快速开关性能是Zetex专有UMOS技术的另一个主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。

详情请访问：www.zetex.com

Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

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