飞兆双DPAK封装互补型40V MOSFET器件FDD8424H

关键词：MOSFET器件 FDD8424H

时间：2007-05-16 15:37:00 来源：中电网

“FDD8424H采用双DPAK封装，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。

”

飞兆半导体推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在单一封装中集成了一个P沟道高端MOSFET和一个N沟道低端MOSFET，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。

FDD8424H的主要特性包括：

优化RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 的组合，提供出色的开关性能
N沟道提供4.1C/W的同类最小热阻抗 (θJC)，P沟道则为3.5 C/W
单一封装中集成半桥解决方案，能减小器件占位面积及降低系统总体成本
P沟道和N沟道MOSFET的共漏连接集成，能简化线路板布局

这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

供货：现货
交货期： 6至8周

详情请访问：www.fairchildsemi.com。

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