“高质量的IPD技术是需要高性能和成本优势的便携/无线应用的理想选择
”安森美半导体(ON Semiconductor)宣布,将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比,这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低,性能更高。 HighQ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用,高性能等于延长电池寿命。 工艺 HighQ制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM 电容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 电阻器 IPD 设计工具 安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件,帮助他们进行快速的建立原型。 详情请访问:www.onsemi.com.cn | |
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