“非易失性RAM (nvRAM) 产品,扩展了公司磁电阻式随机存储器系列产品,可用于恶劣的应用环境,如工业、军事、航空和汽车设计等。
”飞思卡尔推出3伏4Mbit扩展温度范围(-40至+105度)非易失性RAM (nvRAM) 产品,从而扩展了公司获奖的磁电阻式随机存储器 (MRAM)系列产品。该设备可用于恶劣的应用环境,如工业、军事、航空和汽车设计等。 飞思卡尔还通过推出一种1Mbit器件扩展了它的商用MRAM 产品系列。该器件可为系统设计师提供一种密度选择,并专注于主流嵌入式产品市场上的"sweet spot"。此外,飞思卡尔还计划进一步扩展其MRAM产品系列,在2007年第三季度增加总共九种商用和工业用扩展温度产品。 MRAM采用磁性材料和传统的硅电路来在单个寿命几乎没有限制的器件中提供SRAM的高速度和闪存的非易失性 。MRAM设备可以用于高速缓存缓冲器、配置存储内存和其他要求高速度、耐用性和非易失性的商业应用。飞思卡尔的最新扩展温度范围选项使MRAM可用于工业和汽车应用。在这类应用中,半导体产品必须能够忍受恶劣的工作环境和极端温度范围。 MRAM在高密度 nvRAM市场上提供业界领先的高性价比产品。飞思卡尔的MRAM设备结合了非易失性存储和RAM的优点,可以在新型智能电子设备中实现"随开即用(instant-on)"功能和电源损耗防护。此外,MRAM设备可以在广泛的温度范围以SRAM速度运行而不需要电池备份 。 关于1Mb MR0A16A 关于4Mb MR2A16AV 定价和供货信息 详情请访问:twww.freescale.com/files/pr/mram.html。 |
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