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CADENCE通过TSMC设计参考流程8.0版加速设计

关键词:45纳米芯片 TSMC设计参考

时间:2007-07-06 00:00:00      来源:中电网

新的参考流程解决了45纳米的设计难题,为晶粒内变异提供了统计时序分析、与自动化的可制造性设计(DFM)热点修整,以及新的动态低功耗设计方法学。

Cadence设计系统公司与台积电宣布Cadence正在为TSMC参考流程8.0提供重要功能。这种新的参考流程解决了45纳米的设计难题,为晶粒内变异提供了统计时序分析、与自动化的可制造性设计(DFM)热点修整,以及新的动态低功耗设计方法学。

参考流程8.0版是TSMC的最新一代设计方法学,能够提高成品率、降低风险和提高设计精确度。该流程提供了经认定的设计建构模块的参考,给予设计师从规格到出带的可靠途径。

TSMC参考流程8.0经工艺验证,能够让设计师加快先进45纳米设计,有着低功耗、周期短、质量高和制造风险低等特点。Cadence在TSMC参考流程8.0中的贡献基于Cadence Encounter?数字IC设计平台和Cadence逻辑设计团队解决方案的多种新功能。这些新功能有多种Cadence工具的支持,包括Incisive Design Team Simulator, Incisive Enterprise Simulator 和Cadence SoC Encounter GXL RTL-to-GDS系统,其中涵盖:

Encounter RTL Compiler
Encounter Conformal 技术
Cadence Encounter Test
Cadence NanoRoute 纳米布线器
Cadence Encounter Timing System
Cadence VoltageStorm 功耗分析
Cadence QRC 提取
Cadence CMP Predictor
Cadence Chip Optimizer

作为TSMC与Cadence之间长时间持续合作的一部分,参考流程8.0提供了一个RTL-to-GDS设计流程,加快了高性能和低功耗设计的量产时间。该流程提供了全面的方法,通过提供高级设计法管理功耗解决45纳米工艺中的复杂设计问题,解决太紧凑的生产参数、解决功耗漏泄的指数增长并满足新的提取要求,以精确预估IC互连的芯片行为,并同时解决45纳米工艺节点的工艺变异性问题。

这些功能依照RTL到GDS的顺序,包括兼容Si2通用功率格式(Common Power Format,简称CPF)低功耗流程覆盖设计的支持,包括设计、验证、实现和分析。低功耗流程能够降低功耗漏泄,例如电源关断(PSO),它不仅需要合成和物理设计支持,还需要Cadence逻辑设计团队解决方案独有的功能和实现验证能力。对于新的45纳米布线规则和成品率优化布线的更强的支持,是45纳米工艺技术主要解决方案的一部分。

在分析类型中,工艺变异提取、热分析和热敏(thermal-aware)漏电分析面向设计关注的新领域。Cadence具备新一代SSTA功能的先进异敏(variation-aware)分析工具,现在还包含统计的漏电分析和优化,提高对制造效应的敏感度。

为进一步提高设计成品率,TSMC参考流程8.0帮助防止、侦测和纠正成品率限制因素,以及提高工艺视窗和管理变异。Cadence Chip Optimizer搭配Encounter NanoRoute提供了基于效率的成品率优化,包括Cadence CMP Predictor的厚度可变性预测能力,用于基于模型的智能金属填充(intelligent metal fill)和CMP热点侦测/纠正。CMP Predictor可与Cadence QRC Extraction搭配使用,解决提取中的厚度变异问题,以及搭配Encounter时序系统进行时序分析。此外,该参考流程提供了有光刻意识的布线,和面向第三方光刻分析工具的界面,用于光刻热点侦测,以及应用Cadence SoC Encounter系统进行自动化热点纠正。

最后,面向45纳米的可测试性设计(DFT)功能,例如有功耗意识的ATPG、XOR压缩和高速诊断,完善了Cadence解决方案的主要功能。该参考流程支持面向TSMC的45纳米工艺技术的设计。
作为对TSMC参考流程8.0的一个重要支持,Cadence还提供了全套兼容CPF的45纳米低功耗教程和测试用例,涵盖模拟、设计、实现和分析,基于TSMC的参考流程。客户可以使用这些教程和测试用例观察实际设计中所使用的完整流程。


详情请访问:www.cadence.com.cnhttp://www.tsmc.com.






 
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