“全新 PNP 与 NPN器件针对便携式电子应用实现更高的能效及更长的电池使用寿命
”| 安森美半导体推出采用先进硅技术的 PNP 与 NPN 器件，丰富了其业界领先的低 Vce(sat) 双极结晶体管 (BJT) 产品系列。这两种新型晶体管与传统的 BJT 或平面 MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。 安森美半导体最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1 A时，该器件可提供45 mV的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低 Vce(sat) BJT 还提供超过8 kV的较高的静电放电 (ESD) 容差，因此能在突发浪涌情况下自我保护，避免受损。由于实现了出色的电气性能及较低的温度系数，因此这种器件可提高能效，在无需额外 ESD 保护电路就能实现更好的电池节能。相对于 MOSFET而言，这种器件比较适中的开关速度降低了噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(EMI)的应用。 安森美半导体的低 Vce(sat) BJT 系列产品采用多种业界领先的封装，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量单价为0.14～0.27美元。
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