安森美推出两款新的时钟分配器件NB4N121K/111K

器件

新的NB4N121K和NB4N111K都是3.3伏(V)时钟分配器件，带有差分HCSL输出，针对100、133、166、200、266、333和400MHz等典型FBDIMM频率应用。这两款器件采用先进的0.25微米(μm)CMOS工艺技术制造，性能远超竞争产品——产生仅0.3皮秒(ps)的相加相位抖动和不足100ps的输出至输出歪曲率。(每个差分对的最大传输延迟变异Δtpd为100ps。)竞争性器件的典型抖动超过1ps时，歪曲率远高于100ps。因此，安森美半导体最新的ECLinPS器件为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算。

安森美半导体新的时钟分配器件进行了优化的设计、布线和处理，将器件内歪曲率和器件之间歪曲率降到最低。系统设计人员能够利用这种出色性能为其存储器控制器和FBDIMM模块分配低歪曲率、低抖动的时钟。两款器件的时钟输入引脚还内部整合了50欧姆(Ω)的片内端接(ODT)，减少元件数量和简化电路板布线。

NB4N121K是1:21或1:42的HCSL时钟分配器件。在1:21下，该器件提供业内最宽的扇出，能配置成2X模式，提供1:42HCSL扇出。该器件接受差分低压正射极耦合逻辑(LVPECL)、电路模式逻辑(CML)或低压差分信令(LVDS)等级，也能在配以适当的交流参考电源(VREFAC)下，接受单端LVPECL、CML、低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)或LVTTL等级。在1X负载模式下，I_REF(引脚1)的输出驱动电流通过接地来选择。如果配置成2X负载模式，则能够轻易地通过连接I_REF到V_CC来完成。

NB4N121K是1:10HCSL时钟分配器件，接受差分LVPECL、CML或LVDS输入等级，并能在配以适当的交流参考电源下，接受单端LVPECL、CML、LVCMOS或LVTTL等级。

封装和价格

NB4N121K采用符合RoHS指令、52引脚、裸露焊盘QFN封装，每1,000片的批量单价为4美元。NB4N111K采用符合RoHS的32引脚、裸露焊盘QFN封装，每1,000片的批量单价为3.75美元。

详情请访问：http://www.onsemi.com.cn

器件

新的NB4N121K和NB4N111K都是3.3伏(V)时钟分配器件，带有差分HCSL输出，针对100、133、166、200、266、333和400MHz等典型FBDIMM频率应用。这两款器件采用先进的0.25微米(μm)CMOS工艺技术制造，性能远超竞争产品——产生仅0.3皮秒(ps)的相加相位抖动和不足100ps的输出至输出歪曲率。(每个差分对的最大传输延迟变异Δtpd为100ps。)竞争性器件的典型抖动超过1ps时，歪曲率远高于100ps。因此，安森美半导体最新的ECLinPS器件为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算。

安森美半导体新的时钟分配器件进行了优化的设计、布线和处理，将器件内歪曲率和器件之间歪曲率降到最低。系统设计人员能够利用这种出色性能为其存储器控制器和FBDIMM模块分配低歪曲率、低抖动的时钟。两款器件的时钟输入引脚还内部整合了50欧姆(Ω)的片内端接(ODT)，减少元件数量和简化电路板布线。

NB4N121K是1:21或1:42的HCSL时钟分配器件。在1:21下，该器件提供业内最宽的扇出，能配置成2X模式，提供1:42HCSL扇出。该器件接受差分低压正射极耦合逻辑(LVPECL)、电路模式逻辑(CML)或低压差分信令(LVDS)等级，也能在配以适当的交流参考电源(VREFAC)下，接受单端LVPECL、CML、低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)或LVTTL等级。在1X负载模式下，I_REF(引脚1)的输出驱动电流通过接地来选择。如果配置成2X负载模式，则能够轻易地通过连接I_REF到V_CC来完成。

NB4N121K是1:10HCSL时钟分配器件，接受差分LVPECL、CML或LVDS输入等级，并能在配以适当的交流参考电源下，接受单端LVPECL、CML、LVCMOS或LVTTL等级。

封装和价格

NB4N121K采用符合RoHS指令、52引脚、裸露焊盘QFN封装，每1,000片的批量单价为4美元。NB4N111K采用符合RoHS的32引脚、裸露焊盘QFN封装，每1,000片的批量单价为3.75美元。

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