Cypress推出0.13微米SONOS生产的4-Mbit nvSRAM

nvSRAM可作为快速非易失性存储器的最佳替代产品。与需要备用电池的SRAM相比，nvSRAM能够减少板卡占用空间并简化设计，而且其经济性和可靠性都要优于磁性存储器（MRAM）或铁电存储器（FRAM）。这款新产品是赛普拉斯的nvSRAM系列中的最新产品，该系列还包括当前批量生产发运的256K和1Mbit nvSRAM型号的器件。预计，这一系列在2008年上半年还会再推出新产品。

这款新4-Mbit nvSRAM产品首次采用赛普拉斯S8 0.13微米SONOS（硅氮氧化物硅）嵌入式非易失性存储器技术制造的产品，实现了更高的密度，缩短了存取时间并提高了性能。作为SONOS工艺技术的领先者，赛普拉斯将在下一代PSoC混合信号阵列、OvationONS激光导航传感器、可编程时钟和其它产品中应用该项技术。SONOS对标准CMOS技术具有极高的兼容性，并具备了高耐用性、低功率和耐辐射性等众多优点。此外，与其它嵌入式非易失性存储器技术相比，SONOS提供了更加稳定、更容易制造以及性价比更高的解决方案。

4-Mbit nvSRAM供货配置包括512-Kbit x 8（CY14B104L）或256-Kbit x 16（CY14B104N）。这些器件均符合ROHS标准并能够直接取代SRAM、带备用电池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，在无需电池的情况下提供了可靠的非易失数据存储能力。从SRAM向本器件非易失性单元的数据传输操作会在供电断开时自动执行。在供电恢复时，数据从非易失存储器恢复至SRAM。这两种操作功能也可以在软件控制下实现。

供货情况

赛普拉斯的4-Mbit nvSRAM目前正处于样品阶段，将于2008年第1季度投产。

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