“EMIF06-SDO2F3存储卡收发器集成了信号调节、双向电平移相器、ESD（electrostatic discharge）保护，EMI（electromagnetic interference）滤波和一个2.9V稳压器。
”| ST推出微小型高集成芯片，该芯片使用ST公司世界领先的IPAD (Integrated Passive and Active Devices)技术生产，可以为手机、GPS导航设备、数码相机及大量使用可抽取SD协议卡的其他消费类和工业产品提供存储卡接口所需的五种重要功能。新的倒装芯片EMIF06-SDO2F3存储卡收发器集成了信号调节、双向电平移相器、ESD（electrostatic discharge）保护，EMI（electromagnetic interference）滤波和一个2.9V稳压器。 将这些电路集成到一个单片集成电路中，增加了系统可靠性，并且比典型的离散解决方案节约75％的电路板空间。EMIF06-SDO2F3需要不到7m2的电路板空间，与大约30m2的离散解决方案相比，可以提供相同的功能，而且该芯片简化了应用的设计与布局。 该芯片符合高速SD标准，并且带有MiniSD，MMC和uSD/TransFlash功能。对暴露在外存储卡插槽，该芯片提供了一个高级别的ESD保护，有效的EMI滤波可以保护数据线不受RF干扰，上拉和下拉电阻避免浮动数据线。卡侧引脚的ESD保护满足严格的IEC61000-4-2 Level 4标准，达15kV的空气放电。800MHz到3GHz的EMI滤波器在1GHz时可达20dB的衰减。 此外，工作于50MHz并带有典型值为3ns传输延时的六个高速双向电平移相器，使其可以接入1.8V主机处理器的2.9V存储卡。1.5ns的通道间延迟差保证了数据传输的完整性，1微安的静态过电流使驱动器在低功耗应用时性能最优。 存储卡的电源是由一个片上2.9V LDO CMOS稳压器提供的，带有200mA电流驱动能力，输入电压范围在3.1V到5V之间。输入输出压差为100mV，最大为200mA负载电流。具有快速的30us接通时间的切断控制引脚使器件将应用产品的功耗最小化，并延长了电池寿命，调节器包括热切断、欠压锁定和短路保护功能。 EMIF06-SDO2F3为无铅、24个凸点、400微米间距倒装芯片，目前已经在批量生产。1百万片的价格为$1.10，1到5百万片的价格为$0.95。 详情请访问：www.st.com.
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