“8款新型器件典型正向压降极低，为0.55V（电流为8 A）至 0.61V（电流为 30 A）, 典型反向漏电流极小，温度+125°C时为1mA至5.5mA，功率密度总体提升 30%
”| Vishay推出适用于高温应用的新型高性能 Schottky 二极管第 5 代硅平台，以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。 Vishay 新型 Schottky 二极管系列采用亚微米沟槽技术，最大结温为 +175°C，适用于汽车及其它高温应用。器件采用符合 RoHS 的小型封装，以改善成本能耗比，并提供反向偏置安全运行区 (RBSOA)，以满足严格、极具成本效益的设计要求。击穿电压较高且稳定 (>115 V)，以提供电压抑制，优化功率密度，与前几代产品相比，该二极管系列的功率密度提升了 30%。即使如此，新型器件价格还最多可比 Vishay 3.1 代和 2.0 代平面型器件便宜 10%。 新型二极管适用于交流至直流、次级整流、反激式、降压和升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D 型放大器和直流至直流模块应用。一般终端产品包括高功率密度 SMPS、台式 PC 适配器、服务器、汽车驱动器和控制装置、电信网络、PDP、LCD 和高效音频系统等消费类电子，以及笔记本、移动电话和便携式媒体播放器等移动电子设备。 新型器件典型正向压降极低，范围由 0.55 V（电流为 8 A）至 0.61 V（电流为 30 A），典型反向漏电流极小，温度为 125°C 时，范围由 1 mA 至 5.5 mA，且参数分布非常紧凑。上述器件坚固耐用，具有抗反向雪崩能力，雪崩时部件可得到完全屏蔽，且开关损耗极小。
详情请访问：http://www.vishay.com。
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