Nitronex开发了45W GaN-on-Silicon RF功率三极管

关键词：GaN-on-Silicon RF功率三极管

时间：2008-04-02 14:50:00 来源：中电网

“NPT1004使用具有专利的SIGANTIC NRF1工艺设计，一个DC到4 GHz的宽带高功率密度GaN-on-Si HEMT，采用成本有效的热增强型塑料封装，从而为光热负载功率应用提供一个优化的解决方案。

”

用于宽带和商业无线基础设施市场的GaN-on-Silicon RF功率器件领先的生产商Nitronex公司，开发了一款氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT），28V时可提供45W，用于高PAR（功率峰均比）以及脉冲应用。NPT1004使用具有专利的SIGANTIC NRF1工艺设计，一个DC到4 GHz的宽带高功率密度GaN-on-Si HEMT，采用成本有效的热增强型塑料封装，从而为光热负载功率应用提供一个优化的解决方案。

NPT1004提供5W的平均功率，用于2.5-3.5GHz的WiMAX应用（单载波OFDM 64-QAM，10.3dB峰均值，10MHz信道带宽）以及4.5W平均功率用于3.3-3.5GHz的WiMAX应用（单载波 OFDM 64-QAM，10.3dB峰均值，3.5MHz信道带宽）。

NP1004封装为热度增强型PSOP，样品和应用电路板开始供货。1000片的售价为$29.00，供货期为10周。NPT1004三极管为无铅型，符合RoHS。

详情见：http://www.nitronex.com/whatsnew.html

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