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TI推出 DDR3 寄存器的量产版本SN74SSQE32882

关键词:DDR3 寄存器 量产版本 SN74SSQE32882

时间:2008-04-29 16:22:00      来源:中电网

器件在广泛的电压与温度范围内实现了恒定的时钟与输出延迟,从而实现了较高的系统稳定性。

TI推出针对寄存式双列直插式存储器模块 (RDIMM)的锁相环 (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量产版本。该器件在广泛的电压与温度范围内实现了恒定的时钟与输出延迟,从而实现了较高的系统稳定性。单芯片四排模块支持不仅能够节省总体板级空间,而且还降低了功耗,从而能够满足服务器、工作站与存储设备的要求。

SN74SSQE32882 28 位至 56 位寄存缓冲器可在 1.5 V VDD 下工作,并支持奇偶校验功能,以确保可靠性。该器件支持 800 Mbps 至 1,333 Mbps 的高数据速率,从而实现了更高的灵活性,并可在一个模块上支持多达 72 个 DRAM。

其他关键特性包括:
CKE 关断模式;
控制模式寄存器;
输出驱动器强度控制;
工作频率:300 至 670 MHz。

SN74SSQE32882 超出了美国电子工程设计发展联合协会 (Joint Electron Device Engineering Council) 就整个温度与电压范围内的稳定性定义的规范要求,这就保证了高性能服务器系统的可靠性。

DDR 解决方案简化设计工作
TI 的 DDR3 寄存器壮大了主要 DDR2 寄存器与 PLL 器件(如 CDCUA877 与 SN74SSTUB32866)的产品阵容。此外,TPS51116 与 TPS51100 DC/DC 控制器还显著减少了支持 DDR 系统所有电源管理要求所需的外部组件数。

供货情况
采用 176 焊球 MicroStar BGA 封装的 SN74SSQE32882 现已开始供货。

详情见:http://www.ti.com.cn



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