Infineon与Micron为HD-SIM卡开发下一代数据存储解决方案

nfineon与Micron日前推出一个用于开发HD-SIM卡的联合解决技术，达到大于128 megabytes (MB)容量。HD-SIM非常适于提供扩展的存储与更多服务，同时改进了运营商的处理。将高密度与提高的安全性功能结合起来能够使运营商提供图像丰富价值增加的服务，如手机银行和无接触手机门票。此外，运营商可以安全的通过无线网络升级或删除应用，同时可以下载新的应用、服务和设置或在任何时间推动HD-SIM以保持快速入市。而且，这一功能的增加还意味着对于SIM的存储解决方案需要继续利用更快的处理和通信速度，最终提供应用需求更高的存储容量。

这一解决方案将Infineon的安全MCU与Micron创新的NAND闪存结合起来，提供的新特性包括：

高密度：串行NAND Flash存储器提供最具有成本收益的解决方案，在HD-SIM上拥有128-MB或更高的容量；

ECC(差错校验编码)电路：Micron NAND内部的合并能够从HD-SIM的MCU上减轻差错校验负担并使整体安全设计更简单有效

优越的电源管理：为满足ETSI所设计。Infineon / Micron HD-SIM解决方案工作在1.8-volts——3.3-volts电压范围，满足ETSI规范的低工作电流。
容易移植：安全MCU概念包括了一个优化的成本有效的解决方案，由于器件具有APIhe相关的软件堆栈，允许NOR-和NAND技术之间容易的移植。同时，为目前SIM卡开发的操作系统软件能被容易的再利用。

原型预计于2009年秋天开始提供，以圆盘形式或以经济的芯片卡IC封装形式提供。