HVVi半导体推出首款用于DME应用的HVVFET功率三极管

HVVi Semiconductors日前推出公司首款硅RF功率三极管，用于空运距离测量设备（DME），工作频带为1025——1150 MHz。新款HVV1012-060, HVV1012-100与HVV1012-250 RF三极管基于业界首款High Voltage Vertical Field Effect Transistor (HVVFET)，与竞争性技术相比以更小的封装提供更高输出功率和增益。新器件通过实现之前退出1.2——1.4 GHz和1030——1090 MHz的产品，扩展了HVVi公司的成长的产品组合，覆盖了所有L-波段三脉冲应用。

三个新款功率三极管允许设计人员以易匹配的48V器件构建高密度、高阻抗系统。HVV1012-060 RF三极管为1025 MHz——1150 MHz频段的L-波段航空应用所设计，为48V操作所设计，并提供大于60W脉冲输出功率。当脉冲宽度为10 μsec，占空比为1%，VDD=48V以及IDQ=25mA时，新器件提供23dB增益。为了提升系统可靠性，HVV1012-060指明能够在额定输出功率和工作电压下，整个频带内所有相角都能承受20：1 VSWR。

价格与供货
三个器件都即将开始提供样片，为紧凑的HV400形式，双引脚金属带凸缘封装，并具有液晶高分子盖。封装为符合MIL-STD-883。订货量为1——24片，HVV1012-060售价为$226.15，HVV1012-250售价为$398.31。