IDT推出用于高端手机的异步双端口新系列器件

IDT推出用于高端手机的业界领先的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件。作为处理器之间的桥接，新的 IDT 器件有利于手机设计人员最大限度降低设备复杂性，并通过增加的设计灵活性加快上市时间。此外，凭借增加的电源平面隔离功能，这些器件显著降低了总系统功耗。

IDT 70P2X5 双端口可与应用处理器和基带处理器配合使用，充分利用地址-数据复用（address-data mux，ADM）接口。与其它方法相比，该 ADM 接口的输入/输出（I/O）管脚数比在其他高端手机中常见的标准异步双端口 SRAM的管脚数更少。IDT 双端口使用减少了 50% 的处理器 I/O 引脚，释放的引脚可支持需要的差异化功能。此外，IDT 双端口还部署了 8 个可控制和/或监控其它器件的动态可编程 I/O，帮助手机设计人员增加更多的差异化功能。

IDT 低功耗双端口 SRAM 内置的独特电源平面隔离功能有利于手机实现真正的待机状态，同时使整个处理子系统处于待机模式，显著减低用电量，延长电池寿命。对于那些采用额外逻辑或复杂可编程逻辑器件（Complex Programmable Logic Devices – CPLD）实现复杂电源管理方法的客户，IDT 的低功耗双端口还可以通过省却这些额外元件，帮助降低设计复杂性。

IDT 还推出了 70P2X9 双端口系列新器件。这些新一代产品与 IDT 之前的器件引脚向后兼容，无需重新设计即可实现增加的功能。为了帮助实现设计灵活性，该系列器件还在两个端口上内置了可选的 ADM/ 非ADM 操作、各种内核和 I/O 电源电压支持、256K 密度选项和电源平面隔离功能。

供货
所有新的 IDT 双端口器件目前已提供样品，并以 100 引脚 FPBGA 封装供货。