美光面向嵌入式应用推出串行NAND闪存

美光科技推出了一项串行NAND闪存技术，使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb，这样一来，客户就能够轻松地在串行NOR闪存现有存储能力之外，以高性价比扩展存储容量；此外，美光的这款闪存还具有显著的每数据位成本（cost-per-bit）优势。

随着嵌入式系统的发展，他们需要功能更稳健、密度更高的内存解决方案。WiMAX设备、机顶盒、打印机以及其他工业和汽车应用产品过去只用来进行信息解码，而这样的时代已经一去不复返了。现在，这些设备之中有更为尖端的操作系统，用于管理多媒体、图片和其他数据密集的内容，因此也需要设备提供更大的存储空间。

美光了解到这些应用需求，充分利用其可靠的NAND技术，为客户提供一套密度更高、写入性能更优、扩展性更好的存储解决方案，使用户无需从头至尾重新设计系统，就能扩展其应用产品的存储容量。此外，美光的串行NAND技术采用与并行NAND相同的封装类型，因此可作为一种过渡方法，帮助生产商在需要的时候从串行接口产品转换到并行NAND接口产品。

美光串行NAND技术优势

兼容性：与行业标准串行外设接口（SPI）命令集兼容。

最大限度增强功能：提供所需的密度，以最大限度提高系统功能，降低物料成本。用户自建的内容直接存储到设备上，无需使用单独的NAND芯片。

速度更快：美光的串行NAND闪存的处理速度为2.64 MB/s，写入速度比NOR闪存（不到0.5MB/s）更快。

简约的设计：去掉了外部卡插槽，因此降低了物料成本；并利用芯片上的纠错码（ECC）来解决出厂原始NAND闪存伴生的复杂问题。

更安全：提供了只读区和保护性的块锁，以避免设备上存储的内容遭到擅自更改。

产品上市情况

美光的1Gb串行NAND技术现已推出试用产品，预计于2009年一季度投入量产。美光公司还计划于2009年初推出密度更高的串行NAND闪存产品，容量将可达到4Gb。