HVVi推出用于雷达的高压功率晶体管HVV0405-175

HVV0405-175 高电压垂直场效应电晶体（HVVFET）适用于 UHF 频带的雷达应用。工作频带覆盖 420 至 470 MHz，可为系统设计师提供符合要求的 175-W RF 功率电晶体。

该晶体管在性能方面胜过同具竞争性的双级和 LDMOS 器件。当脉冲宽度为 300 µs，脉冲占空比为 10%，VDD 为 50 以及 IDQ 为 50mA 时，新器件提供 25 dB 增益。UHF HVVFET 在额定输出功率和工作电压下，在整个频带和所有相位下能经受住相当于20：1 VSWR的输出负载失配,从而提升系统可靠性。
HVV0405-175 的性能超过双级和 LDMOS 晶体管，可让设计师取消功率放大器（PA）中的放大级，减少零件数并降低 PCB 空间需求。HVVFET 技术中高级别的耐用性和可靠性还可让设计师取消大体积高成本的隔离器，从而减小系统的体积和重量。定货24 件时的单价为 $280.42——现在可通过 Richardson Electronics（www.rell.com）订购。