NJR推出具有旁路功能的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1129MD7

新日本无线株式会社推出最适于1SEG信号用调谐器模块的宽频带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7。

近年来，手机和汽车导航等能接收1SEG信号的产品在不断增加。由于终端接收信号灵敏度不足，所以需要具有高增益/高线性/低噪声的高性能LNA。新日本无线株式会社为满足这种市场需求开发了NJG1134HA8（2008年3月27日发布），而1SEG信号接收用LNA GaAs MMIC NJG1129MD7则是为了满足市场所求的更高灵敏度。

NJG1129MD7可支持470～770MHz的带宽，并且通过采用W-CDMA用LNA的设计技术而实现了15dB（典型值，@ f=470～770MHz）的增益（而NJG1134HA8的则为10dB（典型值，@ f=470～770MHz）。

NJG1129MD7是利用GaAs HEMT工艺制造而成的，并且实现了高线性（P-1dB(IN)=-6.0dBm；IP3=+1.0dBm，典型值）和低噪声（NF=1.4dB，典型值）。

另外，为防止离广播电台较近地区等强磁场输入时所导致的放大器失真，设有不经过内置LNA的旁通模式，从而避免了失真的出现（P-1dB(IN)=+12.0dBm；IP3=+20.0dBm，典型值）。

具有高增益和旁通模式、能够稳定接受信号的NJG1129MD7最适于手机和汽车导航等配有1SEG调谐器模块的设备。

NJG1129MD7具下述特性：
借助于旁通模式，在强磁场下也能稳定接受信号。
低噪声（NF=1.4dB，典型值）特性有助于提高接受信号的灵敏度。
利用GaAs HEMT工艺达到了高线性
（P-1dB(IN)=-6.0dBm；IP3=+1.0dBm，典型值）
内置ESD保护电路，对ESD具有高耐压特性。

生产计划
工程样品（ES）：2008年12月
批量生产（MP）：2009年1月（50k/月）

样品价格
100日元/件